工作在放大区时的Uce

怎样从Ic-Uce图上看三极管的截止失真和饱和失真?当工作点还在放大区时怎样从Ic-Uce图上看三极管的截止失真和饱和失真?当工作点还在放大区时怎样从Ic-Uce图上看三极管的截止失真和饱和失真?当工

为什么工作在放大区的晶体管当基极电流不变时增大Uce但Ic不变为什么工作在放大区的晶体管当基极电流不变时增大Uce但Ic不变为什么工作在放大区的晶体管当基极电流不变时增大Uce但Ic不变因为三极管工作

关于晶体三极管的输入特性曲线,描述为：当Uce为一定值,基极电流iB与基射之间电压uBE的关系曲线.当Uce一定,uBE增大,iB会随着增大,可是,不是说三极管工作在放大区的时候,uBE总是在0.7左

“发射结正偏,集电结反偏,三极管工作在放大区”这句话是NPN跟PNP都适用的吗?NPN工作在放大区时,电源的VCC一定是接在C极,GND一定接在E极的吗?PNP工作在放大区时,电源的VCC一定是接在E

三个放大电路的直流通路.计算判断各电路中三极管工作状态.若不在放大区,调整偏置电阻,使工作在放大区三个放大电路的直流通路.计算判断各电路中三极管工作状态.若不在放大区,调整偏置电阻,使工作在放大区三个

晶体三极管当做开关用时工作在三极管的饱和还是三极管的放大区?晶体三极管当做开关用时工作在三极管的饱和还是三极管的放大区?晶体三极管当做开关用时工作在三极管的饱和还是三极管的放大区?这么简单的问题你还在

晶体三极管工作在放大区·饱和区·截止区的条件晶体三极管工作在放大区·饱和区·截止区的条件晶体三极管工作在放大区·饱和区·截止区的条件放大区：发射结正偏,集电结反偏.Uc>Ub>Ue（NPN）.截止区：

如何理解晶体管工作在放大区时可以等效为一电流源如何理解晶体管工作在放大区时可以等效为一电流源如何理解晶体管工作在放大区时可以等效为一电流源当晶体管工作在放大区时,集电极电阻和电源电压的变化不会引起集电

三极管工作在放大区时发射结应加（）偏置电压,集电结(）偏置电压三极管工作在放大区时发射结应加（）偏置电压,集电结(）偏置电压三极管工作在放大区时发射结应加（）偏置电压,集电结(）偏置电压正向偏置电压集

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晶体管工作在放大区时发射结反向偏置么晶体管工作在放大区时发射结反向偏置么晶体管工作在放大区时发射结反向偏置么晶体管工作在放大区的工作要求是:发射结正偏,集电结反偏

晶体管工作在放大区时发射结反向偏置么晶体管工作在放大区时发射结反向偏置么晶体管工作在放大区时发射结反向偏置么aa晶体管工作在放大区的工作要求是:发射结正偏,集电结反偏

为啥FET工作在饱和区,BJT工作在放大区?感觉FET饱和区=BJT放大区为啥FET工作在饱和区,BJT工作在放大区?感觉FET饱和区=BJT放大区为啥FET工作在饱和区,BJT工作在放大区?感觉FE

三极管,进入放大区的条件是什么请问三极管进入放大区的条件是什么（假设是NPN三极管,正常工作时Ube=0.7V）.我想知道精确的条件,在不考虑Ubc时（默认Ubc满足进入放大区条件）,书上写的是Ube

晶体管的输出特性,为什么ic随着Uce增大有明显的增大的区域叫饱和区,而ic随着Uce变化基本不变叫放大区?课本上解释“对于某一条曲线,当Uce从零逐渐增大时,集电结电厂增强,收集能力增强,当Uc晶体

请写出晶体管分别工作在放大区,截止区和饱和区时,发射结和集电结的偏置情况.请写出晶体管分别工作在放大区,截止区和饱和区时,发射结和集电结的偏置情况.请写出晶体管分别工作在放大区,截止区和饱和区时,发射

三极管工作在放大区时,应在b-e极间加向偏置电压,b-c极间加向偏置电压.三极管工作在放大区时,应在b-e极间加向偏置电压,b-c极间加向偏置电压.三极管工作在放大区时,应在b-e极间加向偏置电压,b

三极管在输出特性曲线饱和区时电流放大系数和在放大区工作时是否一样大三极管在输出特性曲线饱和区时电流放大系数和在放大区工作时是否一样大三极管在输出特性曲线饱和区时电流放大系数和在放大区工作时是否一样大当

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三极管工作在饱和区的时候,Uce三极管工作在饱和区的时候,Uce三极管工作在饱和区的时候,Uce讨论三极管饱和区是以集电极电阻限流为前提的,Icm不同,Uce略有不同.至于原因我不明白,也不想明白.我