英语翻译1.\x05本征及超高组区熔硅单晶（FZ-Silicon）通过区熔工艺拉制的低杂质含量、低缺陷密度,晶格结构完美的硅单晶,晶体生长过程中不引入任何杂质,起电阻率通常在1000Ω.cm以上,主要用

英语翻译1.\x05本征及超高组区熔硅单晶（FZ-Silicon）通过区熔工艺拉制的低杂质含量、低缺陷密度,晶格结构完美的硅单晶,晶体生长过程中不引入任何杂质,起电阻率通常在1000Ω.cm以上,主要用
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1.\x05本征及超高组区熔硅单晶（FZ-Silicon）
通过区熔工艺拉制的低杂质含量、低缺陷密度,晶格结构完美的硅单晶,晶体生长过程中不引入任何杂质,起电阻率通常在1000Ω.cm以上,主要用于制作高反压器件和光学电子器件.
本次发布的8英寸区熔硅单晶,又我公司自主研发而成,是国内首颗8英寸区熔硅单晶,该项技术达到了国际先进水平.
2.\x05中子辐照区熔硅单晶（NTDFZ-Silicon）
本征区熔硅单晶通过中子辐射可获得高电阻率均匀性的硅单晶,保证了器件制作的成品率和一致性.主要用于制作硅整流器、可控硅、巨型晶体管、晶闸管、静电感应晶闸管、绝缘栅双极晶体管,超高压二极管、智能功率器件、功率集成器件等,是各类变频器、整流器、大功率控制器件、新型电力电子器件的主体功能材料,也是多种探测器、传感器、光电子器件和特殊功率器件等的主体功能材料.

英语翻译1.\x05本征及超高组区熔硅单晶（FZ-Silicon）通过区熔工艺拉制的低杂质含量、低缺陷密度,晶格结构完美的硅单晶,晶体生长过程中不引入任何杂质,起电阻率通常在1000Ω.cm以上,主要用
1.The levy and ultra-high group area determined melting (FZ-Silicon)
Through the area of low melting process control impurity content low,defect density,lattice structure perfect determined,in the process of crystal growth not introducing any impurities,the resistivity usually in 1000 Ω.Cm above,mainly used for making high back pressure device and optical electronic devices.
The release of the 8 inches area determined melting,and my company independent research and development and into,is domestic first single 8 inches melting zone determined,the technology has reached the international advanced level.
2.Neutron irradiation melting zone determined (NTDFZ-Silicon)
The kind of neutron radiation determined through melting zone obtain high resistivity uniformity of the determined to ensure that the device the yield of production and consistency.Mainly used for making silicon rectifier,SCR,giant transistors,thyristor,

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