氧等离子体实验.采用RIE方式刻蚀,气体只通氧气.刻蚀速率与哪些参数有关?腔体气压与速率的关系是?
来源：学生作业帮助网 编辑：六六作业网 时间：2024/12/24 06:58:09
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Etch Rate 与 RF Power,O2 Flow,Pressure都有关,气压越高,一般是Etch Rate越高,但是刻蚀的均匀性会变差.
但不知你是用O2刻蚀什么材料,可能也有所差别,因为O Plasma属于电负性气体