等离子刻蚀和等离子增强化学气相淀积这两个东西有啥子不同?

等离子刻蚀和等离子增强化学气相淀积这两个东西有啥子不同?
等离子刻蚀和等离子增强化学气相淀积
这两个东西有啥子不同?

等离子刻蚀和等离子增强化学气相淀积这两个东西有啥子不同?
等离子刻蚀首先是要利用气压为10～1000帕的特定气体（或混合气体）的辉光放电,产生能与薄膜发生离子化学反应的分子或分子基团,生成的反应产物是挥发性的.它在低气压的真空室中被抽走,从而实现刻蚀.通过选择和控制放电气体的成分,可以得到较好的刻蚀选择性和较高的刻蚀速率,但刻蚀精度不高.
等离子化学汽相淀积 利用高频电场使低压下的气体产生辉光放电,形成非平衡等离子体,其中能量较高的电子撞击反应气体分子,促使反应在较低温度下进行,淀积成薄膜,这种工艺主要用于制备集成电路或其他半导体芯片表面钝化保护层,以提高器件可靠性和稳定性.
最明显的不同刻蚀是减少物质,淀积是增加