电子电路基础 第1题 (2.0) 分 影响放大器高频特性的原因是（ ）.\x05A、极间耦合电容\x05B、发射极旁路电容\x05C、三极管结电容\x05D、温度\x05第2题 (2.0) 分 \x05半导体中的少数载流子产生的原因

电子电路基础 第1题 (2.0) 分 影响放大器高频特性的原因是（ ）.\x05A、极间耦合电容\x05B、发射极旁路电容\x05C、三极管结电容\x05D、温度\x05第2题 (2.0) 分 \x05半导体中的少数载流子产生的原因
电子电路基础
第1题 (2.0) 分 影响放大器高频特性的原因是（ ）.
\x05A、极间耦合电容
\x05B、发射极旁路电容
\x05C、三极管结电容
\x05D、温度
\x05第2题 (2.0) 分
\x05半导体中的少数载流子产生的原因是( )
\x05A、外电场
\x05B、内电场
\x05C、掺杂
\x05D、热激发
\x05第3题 (2.0) 分
\x05硅二极管的死区电压是（ ）.
\x05A、0.0.2V
\x05B、0.5V
\x05C、0.7V
\x05D、0.6V
\x05第4题 (2.0) 分
\x05当PN结外加反向电压时,扩散电流（ ）漂移电流,耗尽层变宽.
\x05A、大于
\x05B、小于
\x05C、等于
\x05D、不确定
\x05第5题 (2.0) 分
\x05测得某放大电路正常工作的晶体管三电极直流电位分别为12.2V、12V、0V,则三极管的三个电极分别是（ ）.
\x05A、(E、B、C)
\x05B、(C、B、E)
\x05C、(B、C、E)
\x05D、(B、E、C)
\x05第6题 (2.0) 分
\x05 PNP型晶体管工作在放大区时,三个电极直流电位关系为 （ ）
\x05
\x05A、UC< UE< UB
\x05B、UB< UC< UE
\x05C、UC< UB< UE
\x05D、UB< UE< UC
\x05第7题 (2.0) 分
\x05测得某放大电路正常工作的晶体管三电极直流电位分别为1.7V,1.9V,-6.5V,则可判断该管属于（ ）.
\x05A、锗NPN型
\x05B、锗PNP型
\x05C、硅NPN型
\x05D、硅PNP型
\x05第8题 (2.0) 分 场效应管的热稳定性比双极型三极管的热稳定性要（ ）.
\x05A、差
\x05B、好
\x05C、差不多
\x05D、无法判断
\x05第9题 (2.0) 分
\x05基本微分电路的电容器接在运放电路的（ ）.
\x05A、反向输入端
\x05B、同向输入端
\x05C、反向端与输出端之间
\x05D、输出端
\x05第10题 (2.0) 分
\x05在固定偏置放大电路中,调大偏置电阻Rb的数值,容易出现（ ）失真.
\x05A、饱和
\x05B、截止
\x05C、低频
\x05D、交越

电子电路基础 第1题 (2.0) 分 影响放大器高频特性的原因是（ ）.\x05A、极间耦合电容\x05B、发射极旁路电容\x05C、三极管结电容\x05D、温度\x05第2题 (2.0) 分 \x05半导体中的少数载流子产生的原因
1C,2D,3D,4A,5B,6B,7B,8B,9A,10B