．在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于（ ）,而少子的浓度则受（ ）的影响很大．温度 B．晶体缺陷 C．掺杂工艺 D．掺杂浓度
来源：学生作业帮助网 编辑：六六作业网 时间：2024/11/08 21:04:45
．在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于（）,而少子的浓度则受（）的影响很大．温度B．晶体缺陷C．掺杂工艺D．掺杂浓度．在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于（）,而少子的浓度则受（）的影响很大．温度B．
．在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于（ ）,而少子的浓度则受（ ）的影响很大．温度 B．晶体缺陷 C．掺杂工艺 D．掺杂浓度
．在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于（ ）,而少子的浓度则受（ ）的影响很大
．温度 B．晶体缺陷 C．掺杂工艺 D．掺杂浓度
．在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于（ ）,而少子的浓度则受（ ）的影响很大．温度 B．晶体缺陷 C．掺杂工艺 D．掺杂浓度
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