请论述Si、GaAs、SiC这三种半导体材料的差异性以及这三种半导体材料的掺杂原理,并讨论它们在微电子器件领域应用的具体范围.大概可以从哪些角度去分析?载流子寿命?费米能级?带宽?
来源:学生作业帮助网 编辑:六六作业网 时间:2024/11/23 15:00:55
请论述Si、GaAs、SiC这三种半导体材料的差异性以及这三种半导体材料的掺杂原理,并讨论它们在微电子器件领域应用的具体范围.大概可以从哪些角度去分析?载流子寿命?费米能级?带宽?请论述Si、GaAs
请论述Si、GaAs、SiC这三种半导体材料的差异性以及这三种半导体材料的掺杂原理,并讨论它们在微电子器件领域应用的具体范围.大概可以从哪些角度去分析?载流子寿命?费米能级?带宽?
请论述Si、GaAs、SiC这三种半导体材料的差异性以及这三种半导体材料的掺杂原理
,并讨论它们在微电子器件领域应用的具体范围.
大概可以从哪些角度去分析?载流子寿命?费米能级?带宽?
请论述Si、GaAs、SiC这三种半导体材料的差异性以及这三种半导体材料的掺杂原理,并讨论它们在微电子器件领域应用的具体范围.大概可以从哪些角度去分析?载流子寿命?费米能级?带宽?
我个人认为从禁带宽度论述比较合理.就上述三种材料来讲,Si的带宽为1.12eV属窄禁带半导体,GaAs和SiC为宽紧带半导体材料,材料的一些主要性能都由它们的带宽和能带结构决定,所以应从能带论入手.由于禁带宽度的不同,它们的工作极限工作温度有所差异,吸收光的范围也有所差异.掺杂原理则一般均为替位式掺杂.至于应用领域不可一言以蔽之.
请论述Si、GaAs、SiC这三种半导体材料的差异性以及这三种半导体材料的掺杂原理,并讨论它们在微电子器件领域应用的具体范围.大概可以从哪些角度去分析?载流子寿命?费米能级?带宽?
si c sic熔点
Si怎么变成SiC
si半导体
在掺杂的元素半导体Si、Ge中,一般情况下的主要散射机构是什么?对化合物半导体GaAs,一般情形 下的主要散射机构是什么?对上述两类半导体材料,请分别写出主要散射机构所决定的平均自由时
英语翻译SIC材料是继SI、GaAs之后的第三代半导体材料.它一种宽带隙半导体材料,具有禁带宽度大、击穿电压高、电子饱和漂移速度高、电子迁移率高、热导率高、介电常数小、抗辐射能力强
Si,Ge,GaAs,哪个用于光电器件,说明详细理由
SiC 的Si和C各几价?.
溶点;c大于sic大于si为什么?
问金刚石、sic,si的熔点高低
1mol sic中si c个数si-c键
金刚砂(SiC)的空间结构?请讲清楚每个C链接几个Si,每个Si又链接几个C能给出图吗?
简述Si半导体的重要性
磷化铝是半导体吗GaAs是常用的半导体材料那磷化铝是吗?
LEC法生长Si-GaAs单晶是什么意思主要解释LEC法生长就好了
1mol SiC 晶体中含____mol Si-C键
1mol sic有几mol si-c键
SiC中Si和C各是多少价?