齐纳击穿,是隧道效应?什么情况,

来源：学生作业帮助网编辑：六六作业网时间：2024/11/16 23:43:33

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ZENER BREAKDOWN
　　在高掺杂的情况下,因耗尽层宽度很小,不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场,而直接破坏共价键,使价电子脱离共价键束缚,产生电子—空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿.也称为隧道击穿.齐纳击穿是暂时性的,可以恢复.
　　齐纳击穿一般发生在低反压、高掺杂的情况下.
隧道击穿
　是半导体物理的概念.隧道击穿(齐纳击穿)：隧道击穿是在强电场作用下,由隧道效应,使大量电子从价带穿过禁带而进入到导带所引起的一种击穿现象.因为最初是由齐纳提出来解释电介质击穿现象的,故叫齐纳击穿.当p-n结加反向偏压时,势垒区能带发生倾斜；反向偏压越大,势垒越高,势垒区的内建电场也越强,势垒区能带也越加倾斜,甚至可以使n区的导带底比p区的价带顶还低.内建电场E使p区的价带电子得到附加势能q|E|x；当内建电场|E|大到某值以后,价带中的部分电子所得到的附加势能q|E|x可以大于禁带宽度；如果p区价带中的A点和n区导带中的B点有相同的能量,则在A点的电子可以过渡到B点.实际上,这只是说明在由A点和B点的一段距离中,电场给予电子的能量等于禁带宽度.因为A和B之间隔着水平距离为的禁带,所以电子从A到B的过渡一般不会发生.随着反向偏压的增大,势垒区的电场增强,能带更加倾斜,将变得更短.当反向偏压达到一定数值,短到一定程度时,量子力学证明,p区价带中的电子将通过隧道效应穿过禁带而到达n区导带中.

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