求半导体物理中的杂质电离问题n型硅半导体材料,已知施主掺杂浓度为Nd,杂质能级Ed位于导带底下-0.045ev处,在温度T=300K时导带底电子有效状态密度Nc已知,计算能使杂质全部电离的最低温度是多

求半导体物理中的杂质电离问题n型硅半导体材料,已知施主掺杂浓度为Nd,杂质能级Ed位于导带底下-0.045ev处,在温度T=300K时导带底电子有效状态密度Nc已知,计算能使杂质全部电离的最低温度是多 半导体物理：以施主杂质电离90%作为强电离的标准,求掺砷的n 型锗在300K 时,以杂质电离以施主杂质电离90%作为强电离的标准,求掺砷的n 型锗在300K 时,以杂质电离为主的饱和区掺杂质的浓度范 如何判断施主杂质和n型半导体,受主杂质和p型半导体 杂质半导体? N型半导体和P型半导体的问题电流是指电荷的定向移动.在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体,掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体.1,说锗晶体本身 半导体中的P型和N型杂质的区别是什么? 硅是P型半导体还是N型半导体? N型半导体中的载流子是什么? N 型半导体中的载流子是什么? 关于杂质半导体的问题为什么自由电子的浓度大大高于空穴的浓度而N型半导体依然呈电中性. 半导体物理中的晶格是什么意思 掺杂半导体电子浓度计算在本征硅中掺入1%的As后,设杂质全部电离.请问该杂质半导体中的载流子浓度是多少?（本征硅的载流子浓度ni = 1.5*10^10每cm^3） 1． 本征半导体中的两种载流子是 ,N型半导体多数载流子是 . 杂质半导体有几种类型?急 半导体物理中的重掺杂的概念? N型.P型半导体中的载流子各是什么? N型半导体中的自由电子多于空穴,而P型半导体中的空穴多于自由电子,是否N型半导体带负电,P型带正电? 杂质半导体中,空穴的浓度比电子浓度高得多的,主要依靠空穴导电的称为（ ）.A.N型半导体B.P型半导体C.电子型半导体