半导体物理中证明空穴电导有效质量证明：价带空穴的电导率有效质量mcp与重空穴有效质量mph*和轻空穴有效质量mpl*的关系为mcp = ( mph*3/2+ mpl*3/2 ) / ( mph*1/2 + mpl*1/2 )百度百科都说了，只是没证

半导体物理中证明空穴电导有效质量证明：价带空穴的电导率有效质量mcp与重空穴有效质量mph*和轻空穴有效质量mpl*的关系为mcp = ( mph*3/2+ mpl*3/2 ) / ( mph*1/2 + mpl*1/2 )百度百科都说了，只是没证 半导体的空穴有效质量一般要大于电子有效质量,为什么? 半导体物理中 载流子的有效质量可以是负的,为什么? 有什么物理意义 ? 半导体中有效质量的性质是什么? 半导体物理中,引入空穴的意义人们常常将空穴的概念引入半导体物理中,但实际上,一切的一切都是电子的行为,那么空穴的引入会不会在理解上带来什么困扰呢? 半导体物理中 载流子的有效质量可以是负的,为什么?有什么物理意义 我知道可以根据数学推导导出负的有效质量,想知道负有效质量的物理解释 有谁知道电子有效质量和惯性有效质量的区别?这两者在半导体物理中的不同 从能带角度解释为什么电子的有效质量绝对值小于空穴,而迁移率高于空穴. 怎么求半导体晶体有效质量 物理中,空穴指的是什么? 本征半导体中掺入[ ]族元素 例如[]得到N型半导体N型半导体的空穴浓度[ ]自由电子浓度 [ ]本征空穴浓度? 半导体物理：证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为：看下面公式 半导体物理：证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为：看下面公式 P型半导体和N型半导体为什么是呈电中性?在本征半导体中每产生一个电了必然会有一个空穴出现,自由电子和空穴是成对出现的,但在本征半导体硅或锗的晶体管中掺入微量三价元素硼（或镓 在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,N型半导体的多子是________.（A.）在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,N型半导体的多子是________.（A.） 五价 （ B）.四价 （C.） 三价 (D)空穴 (E 在半导体中,电了导电和空穴导电有什么区别?空穴电流是不是由自由电子递补空穴所形成的 物理中相对论是怎么证明的? 对p型半导体的工作原理不清楚p型半导体就是在本征半导体中加入三价元素产生比较多的空穴,从而增加导电性.但我不明白的是;虽然空穴数量增加了,但是要增强导电性终归要增加自由电子的