如图LED中n型GaN接触到底是什么材料,p型氮化镓接触又是什么材料,中间InGaN/GaN是什么材料?是两种材料的结合吗?一般不是n区参杂五价元素,P区参杂三族元素吗?怎么n区写成GaN,也就是有三也有五
来源：学生作业帮助网 编辑：六六作业网 时间：2024/12/25 00:57:54
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P-GaN: Mg doped p-type doping（参杂镁） Carrier（携带）:hole (阱）
N-GaN: Si doped GaN（参杂硅） Crraier（携带）:electron（电子）
InGaN/GaN (MQW) :cycle growth InGaN/GaN （间隔蒸镀）
Different material = different color(wavelength)
Ex)
InN ~ 1.9 eV = 652 nm : Red
InGaN ~ 2.76 eV = 450 nm : Blue
GaN ~ 3.4 eV = 364.7 nm : UV
AlN ~ 6.2 eV = 200 nm : Deep UV
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为什么要说GaN基LED?“GaN基”到底是什么意思?
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