漂移运动是少数载流子在内电场作用下形成的?

漂移运动是少数载流子在内电场作用下形成的? pn结电场问题看看这种情况：我看书上说,当空间电荷区形成以后,p区和n区的少数载流子会出现漂移运动,但是我理解不了比如n区吧,少子是空穴,但是在n区这边的空间电荷区是显正电的离子,那 当三极管中基极断开,会有穿透电流,为什么说穿透电流是由于少数载流子的漂移运动产生的?我理解的应该是集电极电压产生的电场使那些多子定向运动而产生穿透电流,这样理解错在哪里了? 载流子的漂移运动和扩散运动由什么引起 多数载流子和少数载流子的意义 半导体中的多数载流子是由（）产生的；少数载流子是由（）产生的. 关于温度对PN结影响的疑问还是不明白为什么温度升高,正向导通电压会减小,反向饱和电流增加我就能理解了,是因为温度升高,热运动加剧,少数载流子的漂移运动加剧,但是管压降降低我就不 杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的 下列现象主要由流水作用而形成的是A、地震后马路裂开 B、喜马拉雅山的形成C、板块的漂移运动 D、长江三角洲的形成 太阳能电池的光电流是怎么产生,连接负载时,在电池内部和外部电流的方向是怎样产生和流动的?太阳能电池的电流都是由光照时产生的电子空穴对在内建电场的作用下漂移过结产生的,还是说 电场作用下空穴与自由电子运动形成的电流方向＿＿ PN结形成是扩散电流的形成原因各种比较权威的书本上解释说：PN结形成过程中的扩散电流是由于P极和N极载流子浓度不一样,存在浓度差而形成的.载流子中的自由电子不是只有受到电场作用 N型半导体的多数载流子和少数载流子是什么? 处于放大状态的三极管集电极电流是由什么载流子的运动所形成的 P型半导体中的多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子.这句话是正确的么? 外电路如何产生空穴PN结处因为多数载流子耗尽及内建电场的方向问题,只有少子的漂移运动,而耗尽区无法提供载流子.但是想象如下的情况：PN结加正向偏置电压,扩散运动加强,N区的电子扩散 漂移使PN结变薄,但反偏时,PN结电场加强,漂移运动加强,而PN结变厚?书上说漂移运动的结果使空间电荷区变窄，其作用正好与扩散运动相反，漂移使PN结变薄，但反偏时，书上又说PN结电场加强 pn结上加反向电压时,若pn结两端连着导线形成通路,为什么pn结中的载流子不会在电场力的作用下形成回路?此时pn结形成何种阻碍作用,为什么一定要使pn结被击穿才能形成回路?