载流子浓度与光学带隙有什么关系
来源:学生作业帮助网 编辑:六六作业网 时间:2024/12/23 22:10:53
载流子浓度与光学带隙有什么关系载流子浓度与光学带隙有什么关系载流子浓度与光学带隙有什么关系本征载流子是由本征激发所产生的,则它的产生与热激发有关,也与禁带宽度有关,所以具有以下特点:一是电子浓度=空穴
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本征载流子是由本征激发所产生的,则它的产生与热激发有关,也与禁带宽度有关,所以具有以下特点:一是电子浓度=空穴浓度;二是载流子浓度随着温度的升高而指数式增大;三是与禁带宽度有指数函数关系(不同半导体的本征载流子浓度不同).本征载流子浓度ni与温度T和禁带宽度Eg的关系为(与杂质无关) ni = (NcNv)^(1/2) exp[-Eg/(2kT)]
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填空;在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于(),而少数载流子的浓度则与本征激法有很大关系.双极填空;在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于(),而少数载流子的浓度则与本征
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