MOS管的源极和漏极有什么区别

来源：学生作业帮助网 编辑：六六作业网 时间：2025/02/02 00:58:14
MOS管的源极和漏极有什么区别MOS管的源极和漏极有什么区别MOS管的源极和漏极有什么区别MOS管的定义：场效应管的结构是在一块N型半导体的两边利用杂质扩散出高浓度的P型区域,用P+表示,形成两个P+

MOS管的源极和漏极有什么区别
MOS管的源极和漏极有什么区别

MOS管的源极和漏极有什么区别
MOS管的定义：场效应管的结构是在一块N型半导体的两边利用杂质扩散出高浓度的P型区域,用P+表示,形成两个P+N结.N型半导体的两端引出两个电极,分别称为漏极D和源极S.把两边的P区引出电极并连在一起称为栅极G.如果在漏、源极间加上正向电压,N区中的多子（也就是电子）可以导电.它们从源极S出发,流向漏极D.电流方向由D指向S,称为漏极电流ID..由于导电沟道是N型的,故称为N沟道结型场效应管.\x0d场效应管（包括结型和绝缘栅型）的漏极与源极通常制成对称的,漏极和源极可以互换使用.\x0d但是有的绝缘栅场效应管在制造产品\x0d时已把源极和衬底连接在一起了\x0d,所以这种管子的源极和漏极就不能互换.有的管子则将衬底单独引出一个管脚,形成四个管脚.一般情况P衬底接低电位,N衬底接高电位.

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