暗电流是如何形成的?测量它有何意义?
来源：学生作业帮助网 编辑：六六作业网 时间：2024/11/25 00:46:19
暗电流是如何形成的?测量它有何意义?
暗电流是如何形成的?测量它有何意义?
暗电流是如何形成的?测量它有何意义?
暗电流是物理学中用到的一个名词,表示在一定的发光电流影响下,光敏晶体管集电极输出电流.
dark cerrent 也称无照电流
暗电流 - 基本情况
光电耦合器的输出特性是指在一定的发光电流IF下,光敏管所加偏置电压VCE与输出电流IC之间的关系,当IF=0时,发光二极管不发光,此时的光敏晶体管集电极输出电流称为暗电流,一般很小.
测试暗电流意义
（1） 防止击穿 如果电池片做成组件时,电池片的正负极被接反,或者组件被加上反偏电压时,由于电池片的暗电流过大,电流叠加后会迅速的将电池片击穿,不过这样的情况很少发生,所以测试暗电流在这方面作用不是很大. （2） 监控工艺 当电池片工艺流程结束后,可以通过测试暗电流来观察可能出现的工艺的问题,前面说过,暗电流是由反向饱和电流和薄层漏电流以及体漏电流组成的,分别用J1,J2,J3表示,当我们给片子加反偏电压时,暗电流随电压的升高而升高,分3个区,1区暗电流由J2起支配作用,2区由J3起支配作用,3区由J1起支配作用,3个区的分界点由具体的测试电压而决定的.为什么暗电流会随电压升高而增大呢?大家知道当有电压加在片子上时,对硅片有了电注入,电注入激发出非平衡载流子,电压越大激发的非平衡载流子越多,形成的暗电流越大,暗电流的增长速度随电压电压越大而变慢,直到片子被击穿.一般我们测试暗电流的标准电压为12V,测得的曲线和标准的曲线相比后,可以的出片子的基本情况.如在1区我们发现暗电流过大则对应的薄层区出了问题,2区暗电流过大,说明问题出在体区,同样3区出现问题,说明我们的结做的有问题,扩散,丝网印刷,温度等参数都会影响暗电流,只要我们知道哪出了问题,就可以根据这去找出问题的原因,所以测试暗电流对工艺的研究是很有用的.
不知道是什么东西