为什么P沟MOSFET不易获得耗尽型?

来源：学生作业帮助网编辑：六六作业网时间：2024/12/18 23:41:37

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为什么P沟MOSFET不易获得耗尽型?
为什么P沟MOSFET不易获得耗尽型?

为什么P沟MOSFET不易获得耗尽型?
这主要是由于n型衬底的表面,在二氧化硅薄膜覆盖下,容易出现电子积累层,而不是耗尽层、更难出现反型层（p型沟道）.其原因在于通过热氧化制作的二氧化硅薄膜,其中往往存在有少量的正电荷（可能是N+、K+等离子所致）,所以在Si表面上易于造成电子积累,而非空穴积累.从而较难于获得耗尽型p-MOSFET.

为什么P沟MOSFET不易获得耗尽型? n沟耗尽型mosfet工作原理 N沟道和P沟道MOSFET哪个常用?增强型和耗尽型的哪个常用? 试画出N沟道、P沟道增强型和耗尽型MOSFET的代表符号 N沟道耗尽型MOSFET源栅漏极电压关系为什么时处于导通状态 n沟道耗尽型MOSFET在栅氧化层中通常会掺入什么物质,从而形成导电沟道?p沟道的呢?另外,具体是掺在栅氧化层的什么位置呢? N沟道耗尽型MOSFET,ID=0,S与D之间的压降是否恒定 Dual P-Channel MOSFET 为什么mosfet镜像电流源可以用N沟道增强型mosfet代替电阻 P-Channel Power MOSFET是什么意思 N沟道MOSFET与P沟道MOSFET有什么区别为什么结型场效应管只有耗尽型,耗尽型有什么特点 MOSFET 为什么要驱动电路 pspice 为什么没有mosfet库为什么石油将耗尽 P沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管区别? MOS管怎么区分N沟道和P沟道增强型和耗尽型一样吗? 模电书中说在掺杂浓度不对称的PN结中耗尽区在重掺杂一边延伸较小而在轻掺杂一边延伸较大这是为什么啊自学模电不易