水平的平行虚线间距为d,其间有磁感应强度为B的匀强磁场.一个正方形线框边长为l(d>l),质量为m,电阻为R.开始是,线框下边缘到磁场上边缘的距离为h.将线框由静止释放,其下边缘刚进入磁场

来源:学生作业帮助网 编辑:六六作业网 时间:2024/12/25 04:31:12
水平的平行虚线间距为d,其间有磁感应强度为B的匀强磁场.一个正方形线框边长为l(d>l),质量为m,电阻为R.开始是,线框下边缘到磁场上边缘的距离为h.将线框由静止释放,其下边缘刚进入磁场水平的平行虚

水平的平行虚线间距为d,其间有磁感应强度为B的匀强磁场.一个正方形线框边长为l(d>l),质量为m,电阻为R.开始是,线框下边缘到磁场上边缘的距离为h.将线框由静止释放,其下边缘刚进入磁场
水平的平行虚线间距为d,其间有磁感应强度为B的匀强磁场.一个正方形线框边长为l(d>l),质量为m,电阻为R.开始是,线框下边缘到磁场上边缘的距离为h.将线框由静止释放,其下边缘刚进入磁场时,线框的加速度恰好为0.则线框进入磁场的过程和从磁场下边穿出磁场的磁场过程相比较,有             (       )
A 产生感应电流的方向相同.
B 所受安培力方向相反.
C 进入磁场过程中产生的热量小于穿出磁场过程中产生的热量.
D 进入磁场过程所用的时间大于穿出磁场过程中所用的时间.

CD为什么是对的,

水平的平行虚线间距为d,其间有磁感应强度为B的匀强磁场.一个正方形线框边长为l(d>l),质量为m,电阻为R.开始是,线框下边缘到磁场上边缘的距离为h.将线框由静止释放,其下边缘刚进入磁场
在进入磁场的时候.题目中告知加速度为0.则线圈在进入的过程中均是匀速.而进入磁场之后.没有了安培力的作用.只在重力作用下做加速运动.到了出磁场的时候速度是大于进入磁场时候的速度.此时安培力必定大于进入时候的安培力.所以出磁场是做减速运动.这里需要考虑一下.加入在出磁场时候速度足够大.会出现什么情况?就是整个线圈已经开离开磁场的时候仍旧无法达到安培力和重力相等.这种情况.在出磁场的时候平均速度是一定要大于入磁场的时候.所以时间出磁场更短.因为f=blv.所以出磁场的安培力更大.根据w=fs.线圈的长度一定.出磁场的安培力大.做功多.所以出磁场长生热量多.这是一种情况.另一种是线圈在开始处磁场的速度并不是非常大.但是有一点可以确定.是一定大于入磁场速度的.这便会产生这样的过程.开始因为安培力大于重力做减速.速度一直减小.总有一个时刻是blv刚好等于重力的.剩下的时间做匀速运动.这个速度和入磁场的速度相同.而这种情况.和第一种一样.所以无论何种情况.都是cd的结果.

为什么D选项是对的,求详解.如图所示,水平的平行虚线间距为d,其间有磁感应强度为B的匀强磁场. 水平的平行虚线间距为d,其间有磁感应强度为B的匀强磁场.一个正方形线框边长为l(d>l),质量为m,电阻为R.开始是,线框下边缘到磁场上边缘的距离为h.将线框由静止释放,其下边缘刚进入磁场 如图所示,水平的平行虚线间距为d,其间有磁感应强度为B的匀强磁场.一个长方形线圈的边长分别为L1、L2,且L2<d,线圈质量m,电阻为R.现将线圈由静止释放,测得当线圈的下边缘到磁场上边缘的距 如图所示,水平的平行虚线间距为d,其间有磁感应强度为B的匀强磁场.一个长方形线圈的边长分别为L1、L2,且L2<d,线圈质量m,电阻为R.现将线圈由静止释放,测得当线圈的下边缘到磁场上边缘的距 如图所示,水平的平行虚线间距为d,其间有磁感应强度为B的匀强磁场.一个长方形线圈的边长分别为L1、L2,且L2<d,线圈质量m,电阻为R.现将线圈由静止释放,测得当线圈的下边缘到磁场上边缘的距 水平放置的光滑金属导轨M.N,平行地置于匀强磁场中,间距d,磁感应强度为B方向与 如图所示,两足够长的平行金属导轨水平放置,间距为L,左端接有一阻值为R的电阻;所在空间分布有竖直向上,磁感应强度为B的匀强磁场.有两根导体棒c、d质量均为m,电阻均为R,相隔一定的距离 如图所示,质量为M的导体棒ab的电阻为 r,水平放在相距为l的竖直光滑金属导轨上.导轨平面处于磁感应强度大小为B、方向垂直于导轨平面向场中.左侧是水平放置、间距为d的平行金属板.导 答得好加赏50水平的平行虚线间距为d=50cm,其间有B=1T的匀强磁场.一个正方形线圈边长为l=10cm,线圈质量m=100g,电阻为0.02欧.开始时,线圈的下边缘到磁场的上边缘的距离为80cm.将线圈由静止释放,其 电磁感应定律的.2.如图所示,相距为d的两水平虚线 和 分别是水平向里的匀强磁场的边界,磁场的磁感应强度为B,正方形线框abcd边长为L(L 如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2分别是水平向里的匀强磁场的边界,磁场的磁感应强度为B,正方形线框abcd边长为L(L 12.如图所示,相距为d的两条水平虚线L1、L2之间是方向水平向里的匀强磁场,磁感应强度为B,正方形线圈abcd边长为L(L MN是水平放置的平行板电容器,M板在上,两极板间距离d=0.2mMN是水平放置的平行板电容器,M板在上,两极板间距离d=0.2m,板长为L=0.2m,两极板之间充满垂直于纸面向里的匀强磁场,磁感应强度B=1T,与极 如图所示,相距为d的两条水平虚线L1、L2之间是方向水平向里的匀强磁场,磁感应强度为B,正方行线圈abcd边 如图,水平放置的光滑金属导轨M,N,平行地置于匀强磁场中,间距为d磁场的磁感应强度为B,方向与导轨平面为α;金属棒ab的质量为M,放在导轨上且与导轨垂直.电源电动势为E,定值电阻为R,其余部 如图,水平放置的光滑金属导轨M,N,平行地置于匀强磁场中,间距为d磁场的磁感应强度为B,方向与导轨平面为α;金属棒ab的质量为M,放在导轨上且与导轨垂直.电源电动势为E,定值电阻为R,其余部 .如图所示,两光滑金属导轨,间距d=O.2m.在桌面上的部分是水平的,水平部分处在磁感应强度为B=O.1T、方向竖直向下的有界匀强磁场中,磁场边界跟桌边平行.电阻R=3W,桌面高H=O.8m.金属杆ab质量m=0.2 如图所示,电阻不计的平行金属导轨MN和OP放置在水平面内.MO间接有阻值为R=3 Ω的电阻.导轨相距d=1 m,其间有竖直向下的匀强磁场,磁感应强度B=0.5 T.质量为m=0.1 kg,电阻为r=1 Ω的导体棒