SLC,MLC和TLC三者的区别

SLC,MLC和TLC三者的区别
SLC,MLC和TLC三者的区别

SLC,MLC和TLC三者的区别
SLC、MLC和TLC
X3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸,最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell),原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料,直到MLC(Multi-Level Cell)技术接棒后,架构演进为1个存储器储存单元存放2位元.
2009年TLC架构正式问世,代表1个存储器储存单元可存放3位元,成本进一步大幅降低.
如同上一波SLC技术转MLC技术趋势般,这次也是由NAND Flash大厂东芝(Toshiba)引发战火,之后三星电子(Samsung Electronics)也赶紧加入战局,使得整个TLC技术大量被量产且应用在终端产品上.
TLC芯片虽然储存容量变大,成本低廉许多,但因为效能也大打折扣,因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上,象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等.
象是内嵌世纪液体应用、智能型手机(Smartphone)、固态硬碟(SSD)等技术门槛高,对于NAND Flash效能讲求高速且不出错等应用产品,则一定要使用SLC或MLC芯片.
2010年NAND Flash市场的主要成长驱动力是来自于智能型手机和平板计算机,都必须要使用SLC或MLC芯片,因此这两种芯片都处于缺货状态,而TLC芯片却是持续供过于求,且将整个产业的平均价格往下拉,使得市调机构iSuppli在统计2010年第2季全球NAND Flash产值时,出现罕见的市场规模缩小情况发生,从2010年第1季43亿美元下降至41亿美元,减少6.5%.
U盘MP3中使用的SLC、MLC、TLC闪存芯片的区别：
SLC = Single-Level Cell ,即1bit/cell,速度快寿命长,价格超贵（约MLC 3倍以上的价格）,约10万次擦写寿命
MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,约3000---10000次擦写寿命
TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,也有Flash厂家叫8LC,速度慢寿命短,价格便宜,约500次擦写寿命,目前还没有厂家能做到1000次.
目前,安德旺科技生产的指纹U盘产品中采用的闪存芯片都是三星MLC中的原装A级芯片.读写速度：采用H2testw v1.4测试,三星MLC写入速度: 4.28-5.59 MByte/s,读取速度: 12.2-12.9 MByte/s.三星SLC写入速度: 8.5MByte/s,读取速度: 14.3MByte/s.
需要说明的闪存的寿命指的是写入(擦写)的次数,不是读出的次数,因为读取对芯片的寿命影响不大.
面是SLC、MLC、TLC三代闪存的寿命差异
SLC 利用正、负两种电荷 一个浮动栅存储1个bit的信息,约10万次擦写寿命.
MLC 利用不同电位的电荷,一个浮动栅存储2个bit的信息,约一万次擦写寿命,SLC-MLC【容量大了一倍,寿命缩短为1/10】.
TLC 利用不同电位的电荷,一个浮动栅存储3个bit的信息,约500-1000次擦写寿命,MLC-TLC【容量大了1/2倍,寿命缩短为1/20】.
闪存产品寿命越来越短,现在市场上已经有TLC闪存做的产品了
鉴于SLC和MLC或TLC闪存寿命差异太大
强烈要求数码产品的生产商在其使用闪存的产品上标明是SLC和MLC或TLC闪存产品
许多人对闪存的SLC和MLC区分不清.就拿目前热销的MP3随身听来说,是买SLC还是MLC闪存芯片的呢?在这里先告诉大家,如果你对容量要求不高,但是对机器质量、数据的安全性、机器寿命等方面要求较高,那么SLC闪存芯片的首选.但是大容量的SLC闪存芯片成本要比MLC闪存芯片高很多,所以目前2G以上的大容量,低价格的MP3多是采用MLC闪存芯片.大容量、低价格的MLC闪存自然是受大家的青睐,但是其固有的缺点,也不得不让我们考虑一番.
什么是SLC?
SLC英文全称(Single Level Cell——SLC)即单层式储存 .主要由三星、海力士、美光、东芝等使用.
　　SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄,在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压,然后透过源极,即可将所储存的电荷消除,通过这样的方式,便可储存1个信息单元,这种技术能提供快速的程序编程与读取,不过此技术受限于Silicon efficiency的问题,必须要由较先进的流程强化技术(Process enhancements),才能向上提升SLC制程技术.
什么是MLC?
MLC英文全称（Multi Level Cell——MLC)即多层式储存.主要由东芝、Renesas、三星使用.
　　英特尔（Intel）在1997年9月最先开发成功MLC,其作用是将两个单位的信息存入一个Floating
Gate（闪存存储单元中存放电荷的部分）,然后利用不同电位（Level）的电荷,通过内存储存的电压控制精准读写.MLC通过使用大量的电压等级,每个单元储存两位数据,数据密度比较大.SLC架构是0和1两个值,而MLC架构可以一次储存4个以上的值,因此,MLC架构可以有比较好的储存密度.
与SLC比较MLC的优势：
签于目前市场主要以SLC和MLC储存为主,我们多了解下SLC和MLC储存.SLC架构是0和1两个值,而MLC架构可以一次储存4个以上的值,因此MLC架构的储存密度较高,并且可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量,无须额外投资生产设备,拥有成本与良率的优势.
与SLC相比较,MLC生产成本较低,容量大.如果经过改进,MLC的读写性能应该还可以进一步提升.
与SLC比较MLC的缺点：
MLC架构有许多缺点,首先是使用寿命较短,SLC架构可以写入10万次,而MLC架构只能承受约1万次的写入.
其次就是存取速度慢,在目前技术条件下,MLC芯片理论速度只能达到6MB左右.SLC架构比MLC架构要快速三倍以上.
再者,MLC能耗比SLC高,在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗.
虽然与SLC相比,MLC缺点很多,但在单颗芯片容量方面,目前MLC还是占了绝对的优势.由于MLC架构和成本都具有绝对优势,能满足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市场需求.