如何在VCE = 1V,IC=10mA的条件下测量晶体管的直流增益?要设计一个电路,
来源:学生作业帮助网 编辑:六六作业网 时间:2024/11/16 22:00:37
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如何在VCE = 1V,IC=10mA的条件下测量晶体管的直流增益?要设计一个电路,
如何在VCE = 1V,IC=10mA的条件下测量晶体管的直流增益?
要设计一个电路,
如何在VCE = 1V,IC=10mA的条件下测量晶体管的直流增益?要设计一个电路,
在基极回路和集电极回路各穿入电流表,基极通过50k可调电阻接电源,调整使Ic=10ma时读取Ib,
β=Ic/Ib.
如何在VCE = 1V,IC=10mA的条件下测量晶体管的直流增益?要设计一个电路,
求几种低饱和管压降(低Vce(sat))型号晶体管,要求:Ic>=10A;Vce(sat)
三极管vce(sat)测量电路应该怎么设计?我目前有一颗PNP三极管需要测量Vce(sat),条件是Ic=100mA,Ib=5ma3V和5V均使用稳压电源,但是5V一旦接上去,3V就被反灌到3.4V,这是怎么回事?如果把47R电阻接到E极,C极
某一晶体管的极限参数为Pcm=100mW,Icm=20mA,U(BR)(ceo)=15V,在()情况下能正常工作?A. Uce=6V,Ic=10mAB. Uce=3V,Ic=25mAC. Uce=12V,Ic=10mAD. Uce=16V,Ic=10mA
某一晶体管的极限参数为Pcm=199mW,Icm=20mA,U(BR)(ceo)=15V,在()情况下能正常工作?A.Uce=3V,Ic=10mAB.Uce=2V,Ic=40mAC.Uce=8V,Ic=18mAD.Uce=10V,Ic=15mA是单选
4.已知一晶体管在UCE=10V时,测得当IB从0.04mA变为0.08mA时,IC从2mA变到4mA,这个晶体管的动态电流放
模拟电子技术的一道题,如图已知三极管IB=65μA,IC=3.25mA,UBE=0.7V,求UCE.解答里列了一个KVL方程,我不理解为什么这里要把UBE算进去.不是直接2KΩ·IC+UCE=10V就好了吗?
请教你一个计算题,就是常见的三极管,假设UBE=0.2v,EC=6v.RB=82欧姆,IE=1mA,RE=2欧姆,IC=0.954mA,求IB和UCE为多少
如下图所示的晶体管中,设β=100,VBE=0.7V,求 Vo与 VCE.初学者,还望各位不吝赐教.
IB,VB,IE,VE,IC,VC,VCE的值.最好能给一下推导公式,三极管型号2N3904放大系数,HFE=100
三极管(npn型)当Vce=0时,Ib不等于0时,Vbe应该是0.7v,则Vbc也该是0.7v,怎么ie有电流而ic就是0呢?
为什么使三极管深度饱和用一个IC驱动1个LED.IC输出电压5V,输出电流20mA.用来驱动一个白色LED.LED是20MA3.3V的.那么5-3.3=1.7V 20MA时 1.7/20MA=85R.这样我们可以在LED上串接一个电阻85R的正接I/O负对地就
1、放大电路如下图所示,三极管UBE=0.7V,β=100,调整电位器来改变RB值就能调整放大电路的静态工作点.求(1) 如果要求IC=2mA,RB值应多大;(2) 如果要求UCE=4.5V,RB值又应多大.额····求计算过程
某晶体管的极限参数ICM=20mA、PCM=100mW、U(BR)CEO=30V,因此,当工作电压UCE=10V时,工作电流IC不得超过为什么?求详解 谢谢!
3DG6D型晶体三极管的Pcm=100mW,Icm=20mA,Uceo=30V,如果将它接在Ic=15mA,Uce=20V的电路中则该管( )
tl431和pc817http://bbs.dianyuan.com/topic/4646,我就是看不懂那个图,PC817二极管正向电流If在3mA左右时,三极管的集射电流Ice在4mA左右变化,而且集射电压Vce在很宽的范围内线性变化,那个Ic电流怎么在1MA3MA
COUNT(CROSS(MA(V,5),MA(V,10)),5)=1;其中最后的“=1”是什么意思?
三极管datasheet中描述的VCE(on)typ=1.