内存ranks 和 banks 内存模块 模块名称 RMN1740MB38D7F-667 序列号 无 模块容量 1024 MB (2 rank,4 banks) 模块类型 SO-DIMM 存储方式 DDR2 SDRAM DDR2-667 (333 MHz) 模块位宽 64 bit 模块电压 SSTL 1.8 错误检测方式 无

内存ranks 和 banks 内存模块 模块名称 RMN1740MB38D7F-667 序列号 无 模块容量 1024 MB (2 rank,4 banks) 模块类型 SO-DIMM 存储方式 DDR2 SDRAM DDR2-667 (333 MHz) 模块位宽 64 bit 模块电压 SSTL 1.8 错误检测方式 无
内存ranks 和 banks
内存模块
模块名称 RMN1740MB38D7F-667
序列号 无
模块容量 1024 MB (2 rank,4 banks)
模块类型 SO-DIMM
存储方式 DDR2 SDRAM
DDR2-667 (333 MHz)
模块位宽 64 bit
模块电压 SSTL 1.8
错误检测方式 无
刷新周期 简化 (7.8 us),Self-Refresh
内存计时
@ 333 MHz 5-5-5-15 (CL-RCD-RP-RAS) / 20-35-3-5-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR)
@ 266 MHz 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS) / 16-28-2-4-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR)
@ 200 MHz 3-3-3-9 (CL-RCD-RP-RAS) / 12-21-2-3-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR)
内存模块
模块名称 Nanya NT1GT64U8HB0BN-3C
序列号 无
模块容量 1024 MB (2 ranks,4 banks)
模块类型 SO-DIMM
存储方式 DDR2 SDRAM
DDR2-667 (333 MHz)
模块位宽 64 bit
模块电压 SSTL 1.8
错误检测方式 无
刷新周期 简化 (7.8 us),Self-Refresh
内存计时
@ 333 MHz 5-5-5-15 (CL-RCD-RP-RAS) / 20-43-3-5-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR)
@ 266 MHz 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS) / 16-34-2-4-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR)
主要是内存容量一栏,一个是1024 MB (2 ranks,4 banks) ,一个是1024 MB (1 ranks,8 banks)
还有一个是 20-35-3-5-3后面的是20-43-3-5-3 里面有的数据不同
他们是什么意思代表什么
这样组成双通道不会出现什么问题吧?
第二条的 模块名称是Ramaxel Tech.RMN1150EC48D 7f-667

内存ranks 和 banks 内存模块 模块名称 RMN1740MB38D7F-667 序列号 无 模块容量 1024 MB (2 rank,4 banks) 模块类型 SO-DIMM 存储方式 DDR2 SDRAM DDR2-667 (333 MHz) 模块位宽 64 bit 模块电压 SSTL 1.8 错误检测方式 无
用everest查看内存配置时,SPD中选中一根内存,出现的详细情况中内存模块＞＞模块容量的数字背后有括号,里面有 x rank(s), y banks的字样,在网上查了一下,居然没有比较确切的回答.有些人甚至瞎说.
本人有充分的理由来说：rank 代表了内存条子上是否两面都在存储芯片（行语叫存储颗粒吧）,两面都有的就是 2 ranks,也就是dual ranks,只有正面有的则是1 rank,也是常见的single rank.而bank则是存储颗粒的bank.
一般内存颗粒都是有将内存容量分成几个阵列来制造,也就是说存在内存芯片中存在多个BANK,一般每个颗粒都为4个.随着芯片容量的不断增加,逻辑BANK数量也在不断增加,目前从32MB到1GB的芯片基本都是4个,只有早期的16Mbit和32Mbit的芯片采用的还是2个逻辑BANK的设计,譬如三星的两种16MB芯片：K4S161622D （512K x 16Bit x 2 BANK）和K4S160822DT（1M x 8Bit x 2 BANK）.芯片组本身设计时在一个时钟周期内只允许对一个逻辑BANK进行操作,而芯片的位宽就是逻辑BANK的位宽决定了一次操作的并行位宽.现在的内存颗粒的位宽多为16bit,这样的位宽对于要求高速的内存来说,显然太小.一般内存的位宽是64bit,也就是一次能并行传送8Byte数据.这样,在制造内存的时候,就把同类型的内存颗粒进行组合,现在ddr内存中,一组多为4个颗粒,一般一面是8个芯片,分两组,两面一共就是4组.而在一个组中,内存颗粒是并行进行访问的,就像并联电路可以分流一样,并行的内存颗粒分流了位宽.多个小位宽的颗粒bank并联组成了大位宽的内存bank.前面已经说过,现在内存颗粒的位宽多为16bit,4个一组,16 X 4 = 64,位宽为64的内存bank就这样产生了.
而内存的总容量还是不变的,计算方法还是：
内存容量 = 单个内存颗粒的容量 X 颗粒数量
而颗粒的容量一般由颗粒的型号决定的,计算方法为：
内存颗粒的容量 = bank数 X bank位宽 X bank深度 / 8,单位byte
如上而提到的K4S161622D ,因为其组成就是2个位宽为16位的512K深度的bank组成,所以其容量为2X16X512K/8 = 2M.对于威刚的VDD8608A8A,其组织为4M X 16 X 4bank,所以其容量为4MX16X4/8 = 32M.
曾记得第一次在深圳的华强北C座4楼问内存价格：
老板第一句问：一代二代?
我说：一代
老板：多大
我：XXX
老板：单面双面?
我：?
不知什么意思,最后在老板的指点下,我看到了一种单面有芯片的内存,一种则两面都有,以前还不怎么注意过.一般来说,单面的价格可能会高一点,可能是单个存储颗粒容量比较大,线路要少,要稳定可靠吧.不过我相信,成本价应该双面还要高一点.至于为啥这个卖法,那就很难说了.因为在华强北这种卧虎藏龙之地,那些内存的来源都很那个啊!