三相逆变电源的信号如何产生,将50Hz正弦信号移相120°的电路怎样设计?

三相逆变电源的信号如何产生,将50Hz正弦信号移相120°的电路怎样设计?
三相逆变电源的信号如何产生,将50Hz正弦信号移相120°的电路怎样设计?

三相逆变电源的信号如何产生,将50Hz正弦信号移相120°的电路怎样设计?
晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称,又可称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅；1957年美国通用电器公司开发出世界上第一晶闸管产品,并于1958年使其商业化；晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个极：阳极,阴极和门极；晶闸管工作条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等.它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）.
晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中.
晶闸管的种类
晶闸管有多种分类方法.
（一）按关断、导通及控制方式分类
晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管（GTO）、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种.
（二）按引脚和极性分类
晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管.
（三）按封装形式分类
晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型.其中,金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种.
（四）按电流容量分类
晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸管三种.通常,大功率晶闸管多采用金属壳封装,而中、小功率晶闸管则多采用塑封或陶瓷封装.
（五）按关断速度分类
晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和高频（快速）晶闸管.
晶闸管的工作原理
晶闸管T在工作过程中,它的阳极A和阴极K与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路.
晶闸管的工作条件：
1. 晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受和种电压,晶闸管都处于关短状态.
2. 晶闸管承受正向阳极电压时,仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通.
3. 晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,不论门极电压如何,晶闸管保持导通,即晶闸管导通后,门极失去作用.
4. 晶闸管在导通情况下,当主回路电压（或电流）减小到接近于零时,晶闸管关断.
从晶闸管的内部分析工作过程：
晶闸管是四层三端器件,它有J1、J2、J3三个PN结图1,可以把它中间的NP分成两部分,构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图2
当晶闸管承受正向阳极电压时,为使晶闸管导铜,必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用.图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流.因此,两个互相复合的晶体管电路,当有足够的门机电流Ig流入时,就会形成强烈的正反馈,造成两晶体管饱和导通,晶体管饱和导通.
设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2；发射极电流相应为Ia和Ik；电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,
晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和：
Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0
若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig
从而可以得出晶闸管阳极电流为：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）式
硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图3所示.
当晶闸管承受正向阳极电压,而门极未受电压的情况下,式（1—1）中,Ig=0,(a1+a2)很小,故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0 晶闸关处于正向阻断状态.当晶闸管在正向阳极电压下,从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结,从而提高起点流放大系数a2,产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结,并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结.这样强烈的正反馈过程迅速进行.从图3,当a1和a2随发射极电流增加而（a1+a2）≈1时,式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia.这时,流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定.晶闸管已处于正向导通状态.
式（1—1）中,在晶闸管导通后,1-（a1+a2）≈0,即使此时门极电流Ig=0,晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通.晶闸管在导通后,门极已失去作用.
在晶闸管导通后,如果不断的减小电源电压或增大回路电阻,使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时,由于a1和a1迅速下降,当1-（a1+a2）≈0时,晶闸管恢复阻断状态.
可关断晶闸管GTO（Gate Turn-Off Thyristor）亦称门控晶闸管.其主要特点为,当门极加负向触发信号时晶闸管能自行关断.
前已述及,普通晶闸管（SCR）靠门极正信号触发之后,撤掉信号亦能维持通态.欲使之关断,必须切断电源,使正向电流低于维持电流IH,或施以反向电压强近关断.这就需要增加换向电路,不仅使设备的体积重量增大,而且会降低效率,产生波形失真和噪声.可关断晶闸管克服了上述缺陷,它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点,以具有自关断能力,使用方便,是理想的高压、大电流开关器件.GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管（GTR）,只是工作频纺比GTR低.目前,GTO已达到3000A、4500V的容量.大功率可关断晶闸管已广泛用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域,显示出强大的生命力.
可关断晶闸管也属于PNPN四层三端器件,其结构及等效电路和普通晶闸管相同,因此图1仅绘出GTO典型产品的外形及符号.大功率GTO大都制成模块形式.
尽管GTO与SCR的触发导通原理相同,但二者的关断原理及关断方式截然不同.这是由于普通晶闸管在导通之后即外于深度饱和状态,而GTO在导通后只能达到临界饱和,所以GTO门极上加负向触发信号即可关断.GTO的一个重要参数就是关断增益,βoff,它等于阳极最大可关断电流IATM与门极最大负向电流IGM之比,有公式
βoff =IATM/IGM
βoff一般为几倍至几十倍.βoff值愈大,说明门极电流对阳极电流的控制能力愈强.很显然,βoff与昌盛 的hFE参数颇有相似之处.
下面分别介绍利用万用表判定GTO电极、检查GTO的触发能力和关断能力、估测关断增益βoff的方法.
1．判定GTO的电极
将万用表拨至R×1档,测量任意两脚间的电阻,仅当黑表笔接G极,红表笔接K极时,电阻呈低阻值,对其它情况电阻值均为无穷大.由此可迅速判定G、K极,剩下的就是A极.
2．检查触发能力
如图2(a)所示,首先将表Ⅰ的黑表笔接A极,红表笔接K极,电阻为无穷大；然后用黑表笔尖也同时接触G极,加上正向触发信号,表针向右偏转到低阻值即表明GTO已经导通；最后脱开G极,只要GTO维持通态,就说明被测管具有触发能力.
3．检查关断能力
现采用双表法检查GTO的关断能力,如图2(b)所示,表Ⅰ的档位及接法保持不变.将表Ⅱ拨于R×10档,红表笔接G极,黑表笔接K极,施以负向触发信号,如果表Ⅰ的指针向左摆到无穷大位置,证明GTO具有关断能力.
4．估测关断增益βoff
进行到第3步时,先不接入表Ⅱ,记下在GTO导通时表Ⅰ的正向偏转格数n1；再接上表Ⅱ强迫GTO关断,记下表Ⅱ的正向偏转格数n2.最后根据读取电流法按下式估算关断增益：
βoff=IATM/IGM≈IAT/IG＝K1n1/ K2n2
式中K1—表Ⅰ在R×1档的电流比例系数；
K2—表Ⅱ在R×10档的电流比例系数.
βoff≈10×n1/ n2
此式的优点是,不需要具体计算IAT、IG之值,只要读出二者所对应的表针正向偏转格数,即可迅速估测关断增益值.
注意事项：
（1）在检查大功率GTO器件时,建议在R×1档外边串联一节1.5V电池E′,以提高测试电压和测试电流,使GTO可靠地导通.
（2）要准确测量GTO的关断增益βoff,必须有专用测试设备.但在业余条件下可用上述方法进行估测.由于测试条件不同,测量结果仅供参考,或作为相对比较的依据.
逆导晶闸管RCT(Reverse-Conducting Thyristir)亦称反向导通晶闸管.其特点是在晶闸管的阳极与阴极之间反向并联一只二极管,使阳极与阴极的发射结均呈短路状态.由于这种特殊电路结构,使之具有耐高压、耐高温、关断时间短、通态电压低等优良性能.例如,逆导晶闸管的关断时间仅几微秒,工作频率达几十千赫,优于快速晶闸管（FSCR）.该器件适用于开关电源、UPS不间断电源中,一只RCT即可代替晶闸管和续流二极管各一只,不仅使用方便,而且能简化电路设计.
逆导晶闸管的符号、等效电路如图1(a)、(b)所示.其伏安特性见图2.由图显见,逆导晶闸管的伏安特性具有不对称性,正向特性与普通晶闸管SCR相同,而反向特性与硅整流管的正向特性相同（仅坐标位置不同）.