半导体非平衡载流子的直接复合受禁带宽度的影响如何?刘恩科半导体物理书上说禁带宽度越小越容易直接复合(对应低禁带宽度直接复合起主要作用),那么对应少子寿命应该随禁带宽度的
来源:学生作业帮助网 编辑:六六作业网 时间:2024/11/28 15:20:32
半导体非平衡载流子的直接复合受禁带宽度的影响如何?刘恩科半导体物理书上说禁带宽度越小越容易直接复合(对应低禁带宽度直接复合起主要作用),那么对应少子寿命应该随禁带宽度的半导体非平衡载流子的直接复合受禁
半导体非平衡载流子的直接复合受禁带宽度的影响如何?刘恩科半导体物理书上说禁带宽度越小越容易直接复合(对应低禁带宽度直接复合起主要作用),那么对应少子寿命应该随禁带宽度的
半导体非平衡载流子的直接复合受禁带宽度的影响如何?
刘恩科半导体物理书上说禁带宽度越小越容易直接复合(对应低禁带宽度直接复合起主要作用),那么对应少子寿命应该随禁带宽度的变小而降低才是
事实上是禁带宽度gegaas
并且差别还非常大
不要拿存在间接复合来应付!
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这里要区分清楚两个问题:一是能带结构(直接带隙或者间接带隙),二是复合机理(直接复合或者间接复合).
GaAs是直接带隙半导体,复合机理主要是直接复合,则少数载流子寿命很短.直接复合的几率与禁带宽度有关,则禁带宽度越小的半导体,少数载流子寿命就越短.
Si和Ge是间接带隙半导体,主要是依靠复合中心的间接复合机理,则寿命决定于复合中心的浓度和性质,与禁带宽度基本上无关.一般,间接复合的寿命都较长.所以,Si和Ge的载流子寿命比GaAs的长,虽然GaAs的禁带宽度较大.
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