半导体PN结中参与导电的载流子是空穴和自由电子,那是否意味着流过PN结的电流为自由电子的两倍?为什么在计算时仍然是电流=电压/电阻.而不是电流的二倍?
来源:学生作业帮助网 编辑:六六作业网 时间:2025/02/07 07:17:38
半导体PN结中参与导电的载流子是空穴和自由电子,那是否意味着流过PN结的电流为自由电子的两倍?为什么在计算时仍然是电流=电压/电阻.而不是电流的二倍?半导体PN结中参与导电的载流子是空穴和自由电子,那
半导体PN结中参与导电的载流子是空穴和自由电子,那是否意味着流过PN结的电流为自由电子的两倍?为什么在计算时仍然是电流=电压/电阻.而不是电流的二倍?
半导体PN结中参与导电的载流子是空穴和自由电子,那是否意味着流过PN结的电流为自由电子的两倍?
为什么在计算时仍然是电流=电压/电阻.而不是电流的二倍?
半导体PN结中参与导电的载流子是空穴和自由电子,那是否意味着流过PN结的电流为自由电子的两倍?为什么在计算时仍然是电流=电压/电阻.而不是电流的二倍?
电子与空穴的定向运动都会引起电流,同时也要考虑PN结的电子空穴复合.
例如给出的下图,红黑箭头碰撞的地方表示电子空穴复合.
假若N区有六个单位电子的浓度要向左扩散,结果在X1处的地方复合掉了一个单位的电子浓度(电子空穴对成对复合),那么到达X1处界面右边是六个单位电子浓度,X1处左边是五个单位电子浓度,一个单位空穴浓度.所以引起的总电流(电子漂移电流+空穴漂移电流)是一样的,都是六个单位.再例如,假设Xn处也有一个单位电子空穴复合,Xn右边四个电子浓度,两个空穴浓度扩散运动;左边三个电子浓度,三个空穴浓度扩散,总电流也还是六个单位浓度.
半导体PN结中参与导电的载流子是空穴和自由电子,那是否意味着流过PN结的电流为自由电子的两倍?为什么在计算时仍然是电流=电压/电阻.而不是电流的二倍?
如何理解P型半导体和N型半导体中的多数载流子,物质不是电中性的吗?主要是空穴,为什么说空穴导电呢?好像看到一篇资料说电子被束缚了.如下.“p”表示正电的意思.在这种半导体中,参与导
在半导体中,有自由电子和空穴两种载流子导电对还是错
1、半导体中有空穴和电子两种载流子_____导电,这一点与金属导体的导电机理_______填空,急
1.N型半导体中,多数载流子是( ).A、 空穴 B、自由电子 C、原子核 D、束缚电子 三极管有( )PN结.A
晶体管的PN结是如何形成的初学模拟电路,P型半导体中的空穴是多数载流子,N型半导体中的电子是多数载流子电子从N向P运动,空穴相反,N失去电子带正电,P失去空穴带负电,我对为什么在“PN相接
PN结两端加正向电压或反向电压参与导电时是多数载流子还是少数载流子?作业哟!
1.N型半导体中,多数载流子是( ).A、 空穴 B、自由电子 C、原子核 D、束缚电子 三极管有( )PN结.A1.N型半导体中,多数载流子是( ).A、 空穴 B、自由电子 C、原子核 D、束缚电子2、三极管
空穴和自由电子哪种的导电能力更强?是P型还是N型半导体导电能力强?哪种半导体更常用?这里的空穴是硬要把它看成一种载流子的东西.把它看成和自由电子不一样的.老师问的问题.
在半导体中,电了导电和空穴导电有什么区别?空穴电流是不是由自由电子递补空穴所形成的
空穴型半导体如何产生霍尔效应?霍尔效应是载流子受洛仑兹力产生的.但空穴如果是硅原子的话,即使受到洛仑兹力也不会运动,那么空穴如何运动.电子运动方向应该和空穴相同,到底是谁运动?
P型-杂质半导体在P型半导体中,空穴上是不是真正的存在正电荷?这个正电荷是怎么出现的?导体中同样会失去电子,正电荷和负电荷同样不相等,为什么在导体中的载流子只是电子?
P型杂质半导体中,多数载流子是 (空穴)(正离子)(负离子)?
pn结中的多子还有少子分别指的是什么?多子---在N型半导体中,将自由电子称为多数载流子,简称多子;少子---在N型半导体中,空穴称为少数载梳子,简称少子.那么在PN结中呢?
半导体是如何通过空穴的移动来导电的?
P型半导体中的多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子.这句话是正确的么?
导电原因是因为半导体内的空穴和电子对.为什么?
半导体是靠电子或空穴来导电的吗?如果说半导体是靠电子导电,