制备硅单晶和多晶实验条件区别是什么
来源：学生作业帮助网 编辑：六六作业网 时间：2024/12/22 18:02:31
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悬浮区熔法：
主要用于提纯和生长硅单晶；其基本原理是：依靠熔体的表面张力,使熔区悬浮于多晶硅
棒与下方生长出的单晶之间,通过熔区向上移动而进行提纯和生长单晶.具有如下特点：
1.不使用坩埚,单晶生长过程不会被坩埚材料污染
2.由于杂质分凝和蒸发效应,可以生长出高电阻率硅单晶
多晶硅生产的西门子工艺,其原理就是在1100℃左右的高纯硅芯上用高纯氢还原高纯三氯氢硅,生成多晶硅沉积在硅芯上.
都需要加热和冷却，区别可能单晶对温场要求更苛刻吧。
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