半导体物理学:耗尽层近似的局限性

来源:学生作业帮助网 编辑:六六作业网 时间:2024/07/09 01:17:00
半导体物理学:耗尽层近似的局限性半导体物理学:耗尽层近似的局限性半导体物理学:耗尽层近似的局限性书上的耗尽层是理想情况,PN结两端的P型区和N型区浓度是一定的,真正的PN结这两端是缓变的,浓度有差异

半导体物理学:耗尽层近似的局限性
半导体物理学:耗尽层近似的局限性

半导体物理学:耗尽层近似的局限性
书上的耗尽层是理想情况,PN结两端的P型区和N型区浓度是一定的,真正的PN结这两端是缓变的,浓度有差异