模拟电路分析,图中哪个电容充放电,时间常数是?可控硅导通时,电路中哪个电容放电,C1还是CP4?顺着哪个通路放电的?R41左侧的那些电阻、电感、二极管是起什么作用呢?小妹感激不尽.先谢啦.纠
来源:学生作业帮助网 编辑:六六作业网 时间:2024/11/16 16:36:36
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模拟电路分析,图中哪个电容充放电,时间常数是?
可控硅导通时,电路中哪个电容放电,C1还是CP4?顺着哪个通路放电的?
R41左侧的那些电阻、电感、二极管是起什么作用呢?
小妹感激不尽.先谢啦.
纠正,是“R41右侧的电感二极管”lnaslzt指出的对,
另外,SEND处是要得到由于C1充放电引起的高压脉冲,他是该电路的最终输出,
后面就接需要这个高压脉冲的设备了.
还请大伙再给分析分析如题的2、3问.
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这电路像是电荷泵电路,可控硅的2脚输入脉冲信号,可控硅随脉冲信号的变化而导通、截止,从这电路中看,CP4仅仅是在400V接入后的短时间内起作用,由于电容容量不大,又是电解电容,所以,很容易判断为滤波电容,在可控硅的导通、截止的变化下,C1不断的充电、放电,从而为电感L2储能、释放,完成升压输出……
这电路不完整,简单的判断如下:电阻(R41和R37)和电容C1构成的回路决定C1的充电电流,可控硅的截止时间决定C1的充电时间,二极管在可控硅截止时不工作,导通时才工作,限制电感两端电压反冲.没有完整的图,R42我还没想明白……
有问题补充,留言我很少能看到- -!
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关于模拟电路的问题其他情况不变,在电容C增大的时候,导通角变小,峰值变大.我现在这样分析:由于电容C的增大,充放电常数会增大,充放电速度变慢,即充放电曲线会比图上的高一点,平坦一点
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