MOS管控制LED反馈电路设计了一个NMOS控制LED反馈电路,3个LED其中2个电压Vf较高,希望达到目的：LED电压高的电路,电流大；反之电流小.我使用了恒流输入装置提供400mA总电流,LM358扩大LED两端电压

来源：学生作业帮助网编辑：六六作业网时间：2024/12/25 00:00:39

MOS管控制LED反馈电路设计了一个NMOS控制LED反馈电路,3个LED其中2个电压Vf较高,希望达到目的：LED电压高的电路,电流大；反之电流小.我使用了恒流输入装置提供400mA总电流,LM35

MOS管控制LED反馈电路设计了一个NMOS控制LED反馈电路,3个LED其中2个电压Vf较高,希望达到目的：LED电压高的电路,电流大；反之电流小.我使用了恒流输入装置提供400mA总电流,LM358扩大LED两端电压
MOS管控制LED反馈电路

设计了一个NMOS控制LED反馈电路,3个LED其中2个电压Vf较高,希望达到目的：LED电压高的电路,电流大；反之电流小.我使用了恒流输入装置提供400mA总电流,LM358扩大LED两端电压供给MOS管G端.但是一些参数很难设定,当我设置（LM358）R2：R1=1.5：1,电路达到效果,但是设为2：1就错误.求教高手看看电路是否有问题,数据如何设定比较正确,

MOS管控制LED反馈电路设计了一个NMOS控制LED反馈电路,3个LED其中2个电压Vf较高,希望达到目的：LED电压高的电路,电流大；反之电流小.我使用了恒流输入装置提供400mA总电流,LM358扩大LED两端电压
图中的R2和R1没有必然的联系,可以独立设置.你说的是不是LM358的放大比设定?R5/R4?
R5/R4是LM358的放大比,比值越大LM358的输出电压高越高,MOS管的输出电流（LED的电流）也就越大.
但随着LM358的输出电压升高,输出电流的增大,MOS管的S极电压也随着升高,当MOS管的S极电压升高到一定程度时,MOS管进入了饱和区.
按照图中的参数,R5/R4=1.5:1时,LM358的输出电压约7.8V,VSG约3V,MOS管的S极电压约4.8V左右.
再来看恒流源的输出：
电源电压8V,LM317最小压降2V多,R1上电压为1.25V左右,恒流源的输出电压不到5V.
由些看出,当R5/R4=1.5:1时,MOS管已经接近饱和区,再增大比例MOS管就会饱和区而出错.
要再增大比例,可以增大恒流源的供电电压.

MOS管控制LED反馈电路设计了一个NMOS控制LED反馈电路,3个LED其中2个电压Vf较高,希望达到目的：LED电压高的电路,电流大；反之电流小.我使用了恒流输入装置提供400mA总电流,LM358扩大LED两端电压我需要一个MOS管作为开关的电路图mos管与VCC相连,用单片机控制mos管,求个电路,我找了个型号AO3415,扣扣235①8828①, mos管是怎样控制电压的? 想用一个mos管做开关,单片机的I/O口控制一个5V/3W的led灯,用p沟道好还是n沟道的好.应用电路是怎么样? LED电源驱动IC里面的内置mos管和外置mos管是什么意思,怎么理解.. 用3.3v的电压通过mos管控制一个24V/3A的负载电路的通断问题请问该怎么选择MOS管的型号,最好能给出几个MOS管的具体型号 3.3V的电路里面让一个光敏电阻控制一个LED ,白天LED灯暗点,晚上LED灯亮点,求电路设计 led驱动电源炸mos管是什么原因引起的电源DC12V,使用555定时器作为主控芯片,使用继电器或可控硅或MOS管作为通断开关,一led作通断指示.触摸延时开关电路设计三极管和MOS管在做开关电源电路设计中如何区别及选用 MOS管烧毁之后是什么现象?用4个MOS管搭一个H桥驱动电路,如果由于死区未控制好而导致单边的上下管同时导通,就会烧毁MOS管.烧毁之后MOS管的S、G、D的现象是什么样的?请实际用过、坏过、测过 mos管和晶闸管原理一样么?都是三个pn结,结构一样?差别就是一个是电压控制一个是电流控制?晶闸管的正极相当于mos管的源极?其余两极夜相同? 控制220V交流电可以用MOS管吗,什么型号?最好能给个型号做参考,谢谢了! 用MOS管做电子开关电路,选择何种MOS管呢?我想做一个电子开关电路,单片机输出3.3V电平,控制另一路3.3V电压的通断（其实是为了降低单片机外部电路的功耗）.想用MOS管,希望MOS管上的s、d极导通开关电源制作,保险丝和开关MOS管以及吸收回路都烧了,是怎么会是?最近正在研究制作开关电源,可是遇到一个问题:我用单片机产生特定频率的信号控制开关MOS管.开电接通交流20V,正常,在高频 LED 原边反馈如何精确控制电流请问方波经过MOS管后,波形缺了一个角是怎么回事? 请教MOS管的开关控制如何使MOS管在电压低于2.75V时截断?