电力电子技术试题GTO GTR MOSFET IGBT四种晶体管的优缺点请尽量稍微的详细点
来源：学生作业帮助网 编辑：六六作业网 时间：2024/12/26 11:48:46
电力电子技术试题GTO GTR MOSFET IGBT四种晶体管的优缺点请尽量稍微的详细点
电力电子技术试题GTO GTR MOSFET IGBT四种晶体管的优缺点请尽量稍微的详细点
电力电子技术试题GTO GTR MOSFET IGBT四种晶体管的优缺点请尽量稍微的详细点
GTO既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点,以具有自关断能力,使用方便,是理想的高压、大电流开关器件.GTO的容量及使用寿命均超过GTR,只是工作频率比GTR低.目前,GTO已达到3000A、4500V的容量.大功率可关断晶闸管已广泛用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域,显示出强大的生命力.
单管GTR饱和压降VCES低,开关速度稍快,但是电流增益β小,电流容量小,驱动功率大,用于较小容量的逆变电路.
MOSFET优点：热稳定性好、安全工作区大.缺点：击穿电压低,工作电流小.
IGBT是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物.特点：击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A.由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz.
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GTO具有自关断能力，但所需驱动电流和驱动功率较大。
GTR具有自关断能力，除所需驱动电流和驱动功率较大外，工作电压和电流与其它器件相比较低。有二次击穿现象。
MOSFET开关速度快，驱动功率小，但工作电压低，尤其是栅极控制电压一般不超过20V。
IGBT具有GTR和MOSFET的优点，工作电压高，工作电流大，驱动功率小，开关速度快（可达20KHz）。但栅极控制电压一般也在...
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GTO具有自关断能力，但所需驱动电流和驱动功率较大。
GTR具有自关断能力，除所需驱动电流和驱动功率较大外，工作电压和电流与其它器件相比较低。有二次击穿现象。
MOSFET开关速度快，驱动功率小，但工作电压低，尤其是栅极控制电压一般不超过20V。
IGBT具有GTR和MOSFET的优点，工作电压高，工作电流大，驱动功率小，开关速度快（可达20KHz）。但栅极控制电压一般也在20V以下。
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