二极管的单向导电性二极管的PN结耗尽区形成的了0-1V的电压,阻止了N里面的未成对电子穿过PN结到达P侧,也就说1V的压差就可以克服形成共价键所用的力（能量）,如果给二极管两侧加上的反偏
来源：学生作业帮助网 编辑：六六作业网 时间：2024/12/23 07:42:04
二极管的单向导电性二极管的PN结耗尽区形成的了0-1V的电压,阻止了N里面的未成对电子穿过PN结到达P侧,也就说1V的压差就可以克服形成共价键所用的力（能量）,如果给二极管两侧加上的反偏二极管的单向导
二极管的单向导电性二极管的PN结耗尽区形成的了0-1V的电压,阻止了N里面的未成对电子穿过PN结到达P侧,也就说1V的压差就可以克服形成共价键所用的力（能量）,如果给二极管两侧加上的反偏
二极管的单向导电性
二极管的PN结耗尽区形成的了0-1V的电压,阻止了N里面的未成对电子穿过PN结到达P侧,也就说1V的压差就可以克服形成共价键所用的力（能量）,如果给二极管两侧加上的反偏电压大于1V,那么在P侧的成对电子会断裂共价键向N侧移动,形成电流.那么为什么二极管是单向导电,像这样单方向的导电还要克服PN结里面这0-1V的电压,岂不更麻烦?
这种想法错在哪里了啊?难道是形成共价键时电子和空穴存在一定的距离,之间的作用力小,而断裂时那个力非常的大?二极管单向导电的具体原因的是什么啊?
二极管的单向导电性二极管的PN结耗尽区形成的了0-1V的电压,阻止了N里面的未成对电子穿过PN结到达P侧,也就说1V的压差就可以克服形成共价键所用的力（能量）,如果给二极管两侧加上的反偏
先要知道～Si掺杂入3价元素就是P区,掺杂入5价元素就是N区．然后应该这么理解～PN结加正相电压,使空间电荷区减小,有利于多子的扩散,P区多子是空穴,少子是电子,N区多子是电子,少子是空穴．反之,当PN结加反相电压,空间电荷区增大,不利于多子的扩散,有利于少子的飘逸．而有利于多子的扩散所产生电流导通,叫做单向导电性
这学期刚好学的模电～这科就是入门难,开头学好,后面学起来就简单了
顺便说,这里指的空间电荷区就是耗劲层～
你说的那种情况是正偏电压正相导通,反偏电压大于1V反向击穿,在书的后面会讲具体用途,这种特性非常重要
纯手打谢谢～
PN结二极管的单向导电性原理
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二极管的单向导电性二极管的PN结耗尽区形成的了0-1V的电压,阻止了N里面的未成对电子穿过PN结到达P侧,也就说1V的压差就可以克服形成共价键所用的力（能量）,如果给二极管两侧加上的反偏
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