PN结齐纳击穿问题齐纳击穿定义：在高掺杂的情况下,因耗尽层宽度很小,不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场,而直接破坏共价键,使价电子脱离共价键束缚,产生电子—空穴对,致使电
来源：学生作业帮助网 编辑：六六作业网 时间：2024/11/25 10:53:15
PN结齐纳击穿问题齐纳击穿定义：在高掺杂的情况下,因耗尽层宽度很小,不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场,而直接破坏共价键,使价电子脱离共价键束缚,产生电子—空穴对,致使电
PN结齐纳击穿问题
齐纳击穿定义：在高掺杂的情况下,因耗尽层宽度很小,不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场,而直接破坏共价键,使价电子脱离共价键束缚,产生电子—空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿.我想问的是为什么在高掺杂的情况下,耗尽层宽度很小?
还有,高掺杂情况下会发生雪崩击穿吗,低掺杂情况下会发生齐纳击穿吗?一般来说反向击穿电压>7V时为雪崩击穿,那这个时候会发生齐纳击穿吗?（两种击穿状态共存）反向击穿电压
PN结齐纳击穿问题齐纳击穿定义：在高掺杂的情况下,因耗尽层宽度很小,不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场,而直接破坏共价键,使价电子脱离共价键束缚,产生电子—空穴对,致使电
这是关系到pn结基本原理的问题,在一般的电路书籍中不会讲到.
（1）“在高掺杂的情况下,耗尽层宽度很小”：由于耗尽层就是空间电荷区,其中的空间电荷主要是杂质电离中心提供的,因此掺杂浓度越大,电荷密度就越大,于是产生相同内建电场所需要的宽度就越小,即耗尽层宽度变小.
（2）“高掺杂情况下会发生雪崩击穿吗?”——不会.因为高掺杂时,耗尽层厚度很薄,就很容易发生隧道效应（是一种量子效应）,即产生齐纳击穿.因此,还没有产生雪崩击穿时,就已经发生齐纳击穿了.
“低掺杂情况下会发生齐纳击穿吗?”——也不会.因为低掺杂时,耗尽层厚度较大,不容易发生隧道效应,所以只能发生较高击穿电压的雪崩击穿.
对于Si-pn结的击穿,一般存在以下的规律：击穿电压小于4V者为齐纳击穿,击穿电压大于6V者为雪崩击穿,击穿电压在4V～6V之间者属于两种击穿都发生的混合型击穿（温度稳定性最好的稳压二极管,电压就是5V左右）.