MOS管开关状态工作在哪个区?为什么VGS>4V只是开启条件,要达到9V才能完全导通?1.说开关模式的开状态是对应MOS管的饱和区么?那么从ID=f（VDS）的特性曲线上来看,饱和区需要VDS有一定压降,但是
来源：学生作业帮助网 编辑：六六作业网 时间：2024/11/28 03:14:59
MOS管开关状态工作在哪个区?为什么VGS>4V只是开启条件,要达到9V才能完全导通?1.说开关模式的开状态是对应MOS管的饱和区么?那么从ID=f（VDS）的特性曲线上来看,饱和区需要VDS有一定压降,但是
MOS管开关状态工作在哪个区?为什么VGS>4V只是开启条件,要达到9V才能完全导通?
1.说开关模式的开状态是对应MOS管的饱和区么?那么从ID=f（VDS）的特性曲线上来看,饱和区需要VDS有一定压降,但是又说开通状态MOS管压降很小VDS接近于0?
2.VGS>4v只是大于开启电压,并没有让管子完全导通,要9V以上才能完全导通?VGS和饱和区有个P关系啊,从特性曲线上看,只要VDS>一定值,VGS>4V就到饱和区了,为什么要到9V才完全导通?
看这个东西看了一天了,网上好多人说的不一样,这个说他说的不对,那个说他说的不对,完全晕了啊.
到底是怎样的啊?
MOS管开关状态工作在哪个区?为什么VGS>4V只是开启条件,要达到9V才能完全导通?1.说开关模式的开状态是对应MOS管的饱和区么?那么从ID=f（VDS）的特性曲线上来看,饱和区需要VDS有一定压降,但是
1、MOS管的三个区：可变电阻区（对应三极管的饱和区）,恒流区（对应三极管的放大区）,夹断区（对应三极管的截止区）,还有一个击穿区（对应三极管的击穿区,属于电力电子内容）.
2、MOS管的导通是一个过程,你需要仔仔细细看一下模电书,好好温习一下Ugs(th)的定义.对于N-MOSFET来说,Ugs(th)是指刚刚形成导电沟道所需要的Ugs电压,注意这里的定语——刚刚形成导电沟道.随着Ugs加强,导电沟道还会逐步变宽,到一定程度,这个沟道的大小就不再随着电压变宽了（类似于水龙头,Ugs(th)就相当于刚刚有水,但增加到一定程度,水流的粗细就不再变了）,一般来说,MOS管要比较好的导通需要10V左右的电压.
3、MOS管的开关状态是指在可变电阻区和夹断区之间切换（最佳）,但也可以是恒流区和夹断区之间切换（不过不推荐,此时MOS管相当于工作在放大状态,外部电压大量加在DS上,导致UDS会很大,再加上电流,会引起MOS管明显发热）.