一些概念性的1.元素相互化合时,原子中用于形成化学键的电子叫键合电子；未用于形成化学键的 电子叫什么?2.Al离子、S离子的简化电子排布式?3.ⅠB、ⅡB族的族序数等于什么?ⅢB（镧系、锕

一些概念性的1.元素相互化合时,原子中用于形成化学键的电子叫键合电子；未用于形成化学键的 电子叫什么?2.Al离子、S离子的简化电子排布式?3.ⅠB、ⅡB族的族序数等于什么?ⅢB（镧系、锕
一些概念性的
1.元素相互化合时,原子中用于形成化学键的电子叫键合电子；未用于形成化学键的 电子叫什么?
2.Al离子、S离子的简化电子排布式?
3.ⅠB、ⅡB族的族序数等于什么?
ⅢB（镧系、锕系除外）—ⅦB族的族序数等于什么?
4.在外围电子排布式中,5S¹有什么效应?
6S²惰性电子对效应是什么?原因是什么?
5.关于第一电离能
同周期元素,从左到右,第一电离能总的趋势是由小变大,但有很多反常.
比如：同周期的ⅡA族元素比ⅢA族元素大、ⅤA族元素比ⅥA族元素大,原因是什么?

一些概念性的1.元素相互化合时,原子中用于形成化学键的电子叫键合电子；未用于形成化学键的 电子叫什么?2.Al离子、S离子的简化电子排布式?3.ⅠB、ⅡB族的族序数等于什么?ⅢB（镧系、锕
1 孤对电子 2 [Ne] [Ar] 3 IB和IIB族的族序数等于族内元素原子的最外层上得电子数 IIIB至VIIB族的族序数等于各核内价电子层排布式（n-1)d^xns^y中x与y之和,
4 半充满稳定?惰性电子对效应高二有学?就是有效核电荷数增大
对这种不规则性,一般用镧系收缩理论来解释,即由于填充在f亚层的电子对核电荷不能完全屏蔽,从而使有效核电荷增加,引起原子半径缩小和电离能增大.
而相对论性效应认为,f电子的不完全屏蔽因素是由于4f 和5d轨道的相对论性膨胀而远离原子核的缘故.第六周期重过渡元素的6s轨道的相对论性收缩较为显著.这样一来,6s电子受到的屏蔽作用就比相对论性效应较弱的5s电子受到的屏蔽作用小,原子核对6s电子的吸引力较大,因而第六周期重过渡元素有较小的原子半径和较大的稳定性
5 ⅡA全充满稳定 失电子更难 、ⅤA半充满稳定 比ⅥA 难失电子

1自由基

1.孤对电子 其实应该叫孤电子对的才对 只是大多书上都写得是孤对电子
2.[Ne] [Ar] 阳离子是上一周期的0族元素 阴离子是本周期的
3.IB和IIB族的族序数等于族内元素原子的最外层上得电子数 （这个还应该是稳定的价态，毕竟类似Cu有1价） IIIB至VIIB族的族序数等于各核内价电子排布（n-1)d^xns^y 中x与y之和
4.这个问题少数文字...

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1.孤对电子 其实应该叫孤电子对的才对 只是大多书上都写得是孤对电子
2.[Ne] [Ar] 阳离子是上一周期的0族元素 阴离子是本周期的
3.IB和IIB族的族序数等于族内元素原子的最外层上得电子数 （这个还应该是稳定的价态，毕竟类似Cu有1价） IIIB至VIIB族的族序数等于各核内价电子排布（n-1)d^xns^y 中x与y之和
4.这个问题少数文字不太容易讲清。建议看看 无机化学 宋天佑编的 其中有详细的章节介绍
5.简单来讲和半充满，全充满有关 还是建议参考上面所说的书

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1 孤对电子 2. [Ne] [Ar] 3 IB和IIB族的族序数等于族内元素原子的最外层上得电子数 IIIB至VIIB族的族序数等于各核内价电子层排布式（n-1)d^xns^y中x与y之和，

1.如果是未用于成键的电子对叫孤对电子，一个电子叫单电子（这个不是很确定啊，前面那个很肯定）
2.只是电子排布式？？【Ne】，【Ar】
3.貌似高二不要求这个吧，知道它干啥啊，给公式没有任何意义，知道第四周期的叙述后网上加18，再就是32，再加32
4.无语了....高二化学有提过吗？？？
5.IIA的最外层是一对电子，失去较难，IIIA失去的那个是单电子，VA是半...

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1.如果是未用于成键的电子对叫孤对电子，一个电子叫单电子（这个不是很确定啊，前面那个很肯定）
2.只是电子排布式？？【Ne】，【Ar】
3.貌似高二不要求这个吧，知道它干啥啊，给公式没有任何意义，知道第四周期的叙述后网上加18，再就是32，再加32
4.无语了....高二化学有提过吗？？？
5.IIA的最外层是一对电子，失去较难，IIIA失去的那个是单电子，VA是半充满，比较稳定，不容易是电子

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