一P型半导体Si样品电阻率为0.4 -cm（300K）.要制备一个肖特基结（金属半导体整流接触）,有如下两种金属,功函数分别为：Al：Wm＝4.20eV,Pt：Wm＝5.4eV.选择合适的金属,给出选择的理由.并计

一P型半导体Si样品电阻率为0.4 -cm（300K）.要制备一个肖特基结（金属半导体整流接触）,有如下两种金属,功函数分别为：Al：Wm＝4.20eV,Pt：Wm＝5.4eV.选择合适的金属,给出选择的理由.并计
一P型半导体Si样品电阻率为0.4 -cm（300K）.要制备一个肖特基结（金属半导体整流接触）,有如下两种金属,功函数分别为：Al：Wm＝4.20eV,Pt：Wm＝5.4eV.选择合适的金属,给出选择的理由.并计算金属一侧的势垒高度qms和半导体一侧的势垒高度qVD.

一P型半导体Si样品电阻率为0.4 -cm（300K）.要制备一个肖特基结（金属半导体整流接触）,有如下两种金属,功函数分别为：Al：Wm＝4.20eV,Pt：Wm＝5.4eV.选择合适的金属,给出选择的理由.并计
1.根据电阻率查表得到掺杂浓度NA=2X10^16 CM^(-3)
2.根据掺杂浓度查表得到半导体的功函数Ws=5.00eV
3.为了得到肖特基结,要求P型半导体满足Wm4.金属一侧的势垒高度q$ps=X+Eg-Wm=4.05+1.124-4.20=0.974eV
5.半导体一侧的势垒高度qVD=|Wm-Ws|=|4.20-5.00|=0.80eV