第二章 思考题与自测题1.原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同?原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同?2.晶体体积的大小对能级和能带有什么影响?3.
来源：学生作业帮助网 编辑：六六作业网 时间：2024/11/17 12:42:05
第二章 思考题与自测题1.原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同?原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同?2.晶体体积的大小对能级和能带有什么影响?3.
第二章 思考题与自测题
1.原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同?原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同?
2.晶体体积的大小对能级和能带有什么影响?
3.描述半导体中电子运动为什么要引入“有效质量”的概念?用电子的惯性质量描述能带中电子运动有何局限性?
4.一般来说,对应于高能级的能带较宽,而禁带较窄,是否如此?为什么?
5.有效质量对能带的宽度有什么影响?有人说：“有效质量愈大,能量密度也愈大,因而能带愈窄.”是否如此?为什么?
6.简述有效质量与能带结构的关系?
7.对于自由电子,加速反向与外力作用反向一致,这个结论是否适用于布洛赫电子?
8.从能带底到能带顶,晶体中电子的有效质量将如何变化?外场对电子的作用效果有什么不同?
9.试述在周期性势场中运动的电子具有哪些一般属性?
10.以硅的本征激发为例,说明半导体能带图的物理意义及其与硅晶格结构的联系?为什么电子从其价键上挣脱出来所需的最小能量就是半导体的禁带宽度?
11.为什么半导体满带中的少量空状态可以用具有正电荷和一定质量的空穴来描述?
12.有两块硅单晶,其中一块的重量是另一块重量的二倍.这两块晶体价带中的能级数是否相等?彼此有何联系?
13.说明布里渊区和k空间等能面这两个物理概念的不同.为什么极值附近的等能面是球面的半导体,当改变存储反向时只能观察到一个共振吸收峰?
14、说明杂质能级以及电离能的物理意义.为什么受主、施主能级分别位于价带之上或导带之下,而且电离能的数值较小?
15、纯锗、硅中掺入Ⅲ族或Ⅴ族元素后,为什么使半导体电性能有很大的改变?杂质半导体（p型或n型）应用很广,但为什么我们很强调对半导体材料的提纯?
16、说明掺杂对半导体导电性能的影响.
第三章 思考题与自测题
1.半导体处于怎样的状态才能叫处于热平衡状态?其物理意义如何.
2.什么叫统计分布函数?费米分布和玻耳兹曼分布的函数形式有何区别?在怎样的条件下前者可以过渡到后者?为什么半导体中载流子分布可以用玻耳兹曼分布描述?
3.说明费米能级的物理意义.根据费米能级位置如何计算半导体中电子和空穴浓度?如何理解费米能级是掺杂类型和掺杂程度的标志?
4.在半导体计算中,经常应用这个条件把电子从费米能级统计过渡到玻耳兹曼统计,试说明这种过渡的物理意义.
5.若n型硅中掺入受主杂质,费米能级升高还是降低?若温度升高当本征激发起作用时,费米能级在什么位置?为什么?
6.如何理解分布函数与状态密度的乘积再对能量积分即可求得电子浓度?
为什么硅半导体器件比锗器件的工作温度高?
7.当温度一定时,杂质半导体的费米能级主要由什么因素决定?试把强N、弱N型半导体与强P、弱P半导体的费米能级与本征半导体的费米能级比较.
如果向半导体中重掺施主杂质,就你所知会出现一些什么效应?
第二章 思考题与自测题1.原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同?原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同?2.晶体体积的大小对能级和能带有什么影响?3.
头都看大了,半导体进行不同的掺杂会有不同特性,光电效应,磁电效应,压电效应等等,硅,硒,锗以及一些金属氧化物都是半导体材料
这道题的答案应该是，你要付出不低于100分的悬赏才会有人帮你解答。
啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊 我快疯了
这样等于1张试卷，会做都不愿做，积分至少给200才会有人解答啊