关于三极管放大原理的一点疑问：我是这样理解的以NPN型三极管来讨论,三极管制造时B区有意做得很薄而且浓度很低,这样一来B区的多子即空穴浓度就很低,当发射区过来电子时,只能有少部分
来源：学生作业帮助网 编辑：六六作业网 时间：2024/12/25 12:21:38
关于三极管放大原理的一点疑问：我是这样理解的以NPN型三极管来讨论,三极管制造时B区有意做得很薄而且浓度很低,这样一来B区的多子即空穴浓度就很低,当发射区过来电子时,只能有少部分
关于三极管放大原理的一点疑问：
我是这样理解的
以NPN型三极管来讨论,三极管制造时B区有意做得很薄而且浓度很低,这样一来B区的多子即空穴浓度就很低,当发射区过来电子时,只能有少部分的电子与空穴复合,然后B极来补充因复合后缺少的空穴,从而形成B极电流IB.当B极电压UB增大时,IB也增大,由E区流向B区的电子极具增多.这个地方不理解的是,IB是如何增大的,当然由欧姆定律可以明确的知道UB增大IB也增大,但是其微观物理活动是怎样的呢?怎样就导致了基极电流的增大?B区的空穴浓度是一定的啊,既然浓度一定那么不管你过来的电子增加了多少,我只有这么几个空穴给你复合,那么形成的IB就是不会变化的.是不是UB增大后B区的空穴浓度就增大了?
关于三极管放大原理的一点疑问：我是这样理解的以NPN型三极管来讨论,三极管制造时B区有意做得很薄而且浓度很低,这样一来B区的多子即空穴浓度就很低,当发射区过来电子时,只能有少部分
首先给你更正一点,若发射结正偏,基极和发射极之间的电压就是0.7V,这个PN结只要导通就是0.7V.
第二点,B区的空穴浓度增加,那么我请问?空穴是怎么来的?基极是P型半导体,他是参杂了+3价的硼,才形成空穴,那么电压的增大会使硼的浓度增加吗?显然参杂度是一定的,那么他的浓度就是一定的.
第三,你的疑问,IB为什么会变化,IB的变化是由基极前面的限流电阻和电压决定的.空穴浓度一定,但是电流很小的时候,空穴并不一定要全部用来与电子结合啊,当空穴全部与电子结合的时候,就是饱和状态了.所以,你的理解错在自认为空穴会全部用来与电子结合.