1.PN结多数载流子浓度主要受（ ）影响,少数载流子浓度则主要受（ ）影响A.温度 B.掺杂工艺 C.掺杂浓度 D.晶体缺陷2.为了避免电源与负载之间的相互影响,通常采用的放大器接法类型为（ ）A.C

1.PN结多数载流子浓度主要受（ ）影响,少数载流子浓度则主要受（ ）影响A.温度 B.掺杂工艺 C.掺杂浓度 D.晶体缺陷2.为了避免电源与负载之间的相互影响,通常采用的放大器接法类型为（ ）A.C 1.N型半导体中,多数载流子是（ ）.A、 空穴 B、自由电子 C、原子核 D、束缚电子 三极管有（ ）PN结.A PN结两端加正向电压或反向电压参与导电时是多数载流子还是少数载流子?作业哟! 1.N型半导体中,多数载流子是（ ）.A、 空穴 B、自由电子 C、原子核 D、束缚电子 三极管有（ ）PN结.A1.N型半导体中,多数载流子是（ ）.A、 空穴 B、自由电子 C、原子核 D、束缚电子2、三极管 PN结中什么是载流子载流子是什么 LED发光原理在某些半导体材料的PN结中,注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来.怎么出现这个少数载流子,多数载流子呢? 1.N型半导体中,多数载流子是（ ）. 填空；在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于（）,而少数载流子的浓度则与本征激法有很大关系.双极填空；在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于（）,而少数载流子的浓度则与本征 关于本征半导体对于掺有杂质的半导体,其中的多数载流子主要就是由杂质电离所提供,而其中的少数载流子则是由本征激发所产生的.但是,为什么在杂质全电离情况下,多数载流子浓度基本上 晶体管的PN结是如何形成的初学模拟电路,P型半导体中的空穴是多数载流子,N型半导体中的电子是多数载流子电子从N向P运动,空穴相反,N失去电子带正电,P失去空穴带负电,我对为什么在“PN相接 二极管p型区与导线连接会不会有电子与空穴结合希望大家能帮我.晶体硅掺入了两种杂质后形成PN结,也就形成了二极管,PN结是多数载流子结合形成的（这是对的吧）,我想问下导体中有自由电 杂质半导体中,多数载流子和少数载流子的浓度由什么决定?和温度有什么关系? 半导体中的多数载流子是由（）产生的；少数载流子是由（）产生的. 多数载流子和少数载流子的意义 多数载流子和少数载流子是什么意思 PN结光生载流子的扩散,为什么不是从高浓度到低浓度? 为什么PN节掺杂浓度越大热平衡载流子浓度就越小? pn结中存在几种载流子的运动?