什么是晶体管的临界饱和状态?有何特点?
来源:学生作业帮助网 编辑:六六作业网 时间:2025/01/11 08:29:12
什么是晶体管的临界饱和状态?有何特点?什么是晶体管的临界饱和状态?有何特点?什么是晶体管的临界饱和状态?有何特点?发射结正偏,集电结刚好达到正偏(不是Vbc>0,而是Vbc=Vbc(on),NPN硅管
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发射结正偏,集电结刚好达到正偏(不是Vbc>0,而是Vbc=Vbc(on),NPN硅管Vbc(on)=0.4V),.特点1:Vce很小约0.3V(Vce(sat)=-Vbc+Vbc=-0.4+0.7=0.3V),因此相当于C,E极间短路或电阻很小.2:Vce很小变化就使Ice急剧改变3:Ib与Ic在临界时仍可用Ic=βIb,但进入饱和Ic
临界饱和状态是三极管Vce极接近其饱和电压的状态.
在这个状态下三极管开关速度最高, 损耗小.
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