关于开关晶体管高位的晶体管必须是PNP型三极管的问题如图所示,若晶体管导通则B极为低电平,电源电压加载在负载两端,那C极的电位几乎等于VCC,但是要驱动三极管,B极的电压不是应该高于C极
来源:学生作业帮助网 编辑:六六作业网 时间:2024/11/28 18:21:25
关于开关晶体管高位的晶体管必须是PNP型三极管的问题如图所示,若晶体管导通则B极为低电平,电源电压加载在负载两端,那C极的电位几乎等于VCC,但是要驱动三极管,B极的电压不是应该高于C极关于开关晶体管
关于开关晶体管高位的晶体管必须是PNP型三极管的问题如图所示,若晶体管导通则B极为低电平,电源电压加载在负载两端,那C极的电位几乎等于VCC,但是要驱动三极管,B极的电压不是应该高于C极
关于开关晶体管高位的晶体管必须是PNP型三极管的问题
如图所示,若晶体管导通则B极为低电平,电源电压加载在负载两端,那C极的电位几乎等于VCC,但是要驱动三极管,B极的电压不是应该高于C极电压的吗?求各位大神解答
关于开关晶体管高位的晶体管必须是PNP型三极管的问题如图所示,若晶体管导通则B极为低电平,电源电压加载在负载两端,那C极的电位几乎等于VCC,但是要驱动三极管,B极的电压不是应该高于C极
高位用三极管不一定PNP.但为了简单,多数用PNP.
NPN型需要发射极接负电压,PNP型需要发射极接正,只要明白NPN行的工作原理,PNP型把正电源理解为地,就好理解了.
硅管的饱和压降(0.3V),低于BE结正向压降(0.7V).
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