温度对半导体导电特性的影响,我要具体详尽的说明,注释：强调的是温度

来源：学生作业帮助网编辑：六六作业网时间：2024/11/28 21:25:48

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拿其电阻率来说,电阻率主要决定于载流子的浓度和迁移率,两者均与杂质浓度和温度有关系.
讨论纯半导体材料是,电阻率主要取决于本证载流子浓度ni,ni随温度升高会急剧增加,室温左右时,每8℃,硅的ni会增加大约一倍,而迁移率只是稍有下降,所以可以认为起电阻率相应的降低了一半左右.对于锗,每增加12℃,ni增加一倍,电阻率下降一半.本征半导体的电阻率随温度增加单调下降.
对于杂质半导体：
温度很低时,本征激发忽略,主要由杂质电离提供载流子,它随温度升高而增加；散射主要由电离杂质决定,迁移率随温度升高增大,所以电阻率下降.
温度继续升高,杂质全部电离,本征激发还不显著时,载流子基本不变,晶格振动是主要影响因素,迁移率随温度升高而降低,所以电阻率随温度升高而增大.
继续升高到本征激发很快增加时,本征激发称为主要影响因素,表现出同本证半导体相同的特征.

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