在《晶体管电路设计》上册的21页,2.2.7中：“为了吸收基极-发射极间电压随温度的变化,而使工作点（集电极电流）稳定RE的直流压降必须在1V以上.”不太明白为了抑制温漂就要让RE的直流压

来源：学生作业帮助网 编辑：六六作业网 时间：2024/11/17 17:44:07
在《晶体管电路设计》上册的21页,2.2.7中：“为了吸收基极-发射极间电压随温度的变化,而使工作点（集电极电流）稳定RE的直流压降必须在1V以上.”不太明白为了抑制温漂就要让RE的直流压在《晶体管电

在《晶体管电路设计》上册的21页,2.2.7中：“为了吸收基极-发射极间电压随温度的变化,而使工作点（集电极电流）稳定RE的直流压降必须在1V以上.”不太明白为了抑制温漂就要让RE的直流压
在《晶体管电路设计》上册的21页,2.2.7中：“为了吸收基极-发射极间电压随温度的变化,而使工作点（集电极电流）稳定RE的直流压降必须在1V以上.”不太明白为了抑制温漂就要让RE的直流压降必须在1V以上呢?怎么解释?

在《晶体管电路设计》上册的21页,2.2.7中：“为了吸收基极-发射极间电压随温度的变化,而使工作点（集电极电流）稳定RE的直流压降必须在1V以上.”不太明白为了抑制温漂就要让RE的直流压
1,这个和二极管温度曲线一样,当温度上升1度Vbe则减小2~2.5mV
2,所以BJT电晶体放大线路发射极会留1V的余量给Vbe变化以补偿用
3,温度上升同样也会导致反向漏电流增加,每上升1C增加7%

在《晶体管电路设计》上册的21页,2.2.7中：“为了吸收基极-发射极间电压随温度的变化,而使工作点（集电极电流）稳定RE的直流压降必须在1V以上.”不太明白为了抑制温漂就要让RE的直流压 铃木雅臣《晶体管电路设计》上册48页,晶体管的集_发射级之间的饱和电压Vce为什么电源电压要提高Vce?Ie怎么就要选比最大输出电流2.5mA还大的10mA. 请问“晶体管电路设计”这本书里的差动放大器的这句话什么意思? 请问有谁看过《晶体管电路设计 我在《晶体管电路设计（上）》看到了一个100ohm电阻可以防止震荡,但是不知道为什么 看《晶体管放大电路设计（上）》在一个地方卡住,求解释此书234页第六段“在差动放大电路的两个输入端.”到第八段“.输入同相信号的振幅被限制了”这里,为什么A点的电位会在4.4V以上?我 现在电路设计还用到分立元件吗铃木雅臣在他的《晶体管电路设计》中说,尽管电路的主角已经让位给IC,但是,分立元件在很多场合还是必须的.但是他写这本书的时候是很多年前了,现在,我怎 铃木雅臣的《晶体管电路设计》上册P53,关于射极跟随器输入负载加重没看明白.Ve的点位随着Vi同时变化,为何Ie不能随着Vb的减小而减小?为什么不能小于9.7mA?9.7mA难道不是静态工作点的直流电 我已经买了晶体管电路设计我看了下书,为什么里面几乎都是写的放大电路,放大电路是电子的基础吗? 请问有谁看过《晶体管电路设计》（日本人写的）这本书吗?做功放,觉得有必要看这本书? 就是想知道电流怎么在晶体管中流的 还就是晶体管的作用 在电路设计中0欧姆的电阻是什么作用? 真值表在逻辑电路设计中具体的作用是什么? 在电路设计中竞争和冒险是怎样产生的 在电路设计中,一般的放大倍数是多少为好啊? 电路图的电路设计 晶体管的作用是什么；什么是晶体管放大器, PNP晶体管工作在饱和状态的条件是什么?