在《晶体管电路设计》上册的21页,2.2.7中：“为了吸收基极-发射极间电压随温度的变化,而使工作点（集电极电流）稳定RE的直流压降必须在1V以上.”不太明白为了抑制温漂就要让RE的直流压

来源：学生作业帮助网编辑：六六作业网时间：2024/12/19 18:52:38

在《晶体管电路设计》上册的21页,2.2.7中：“为了吸收基极-发射极间电压随温度的变化,而使工作点（集电极电流）稳定RE的直流压降必须在1V以上.”不太明白为了抑制温漂就要让RE的直流压在《晶体管电

在《晶体管电路设计》上册的21页,2.2.7中：“为了吸收基极-发射极间电压随温度的变化,而使工作点（集电极电流）稳定RE的直流压降必须在1V以上.”不太明白为了抑制温漂就要让RE的直流压
在《晶体管电路设计》上册的21页,2.2.7中：“为了吸收基极-发射极间电压随温度的变化,而使工作点（集电极电流）稳定RE的直流压降必须在1V以上.”不太明白为了抑制温漂就要让RE的直流压降必须在1V以上呢?怎么解释?

在《晶体管电路设计》上册的21页,2.2.7中：“为了吸收基极-发射极间电压随温度的变化,而使工作点（集电极电流）稳定RE的直流压降必须在1V以上.”不太明白为了抑制温漂就要让RE的直流压
1,这个和二极管温度曲线一样,当温度上升1度Vbe则减小2~2.5mV
2,所以BJT电晶体放大线路发射极会留1V的余量给Vbe变化以补偿用
3,温度上升同样也会导致反向漏电流增加,每上升1C增加7%