PN结的内建电场U据说会随着温度的升高而减小,这是为什么?如何改变PN结的内建电场?有什么意义?
来源:学生作业帮助网 编辑:六六作业网 时间:2024/12/18 10:30:18
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如何改变PN结的内建电场?有什么意义?
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你的本意是要问内建电势吧(当然两者变化的趋势也应该 是一样的),PN结的内建电势与能带宽度Eg有关,Eg越大,本征载流子浓度越小,内建电势越大(参考突变结的公式就可以看出),比如硅的能带宽度比锗大,所以,内建电势就更大.绝大多数半导体能带宽度Eg都是随温度升高而减小的,所以内建电势随温度升高要减小.当然也有特例,比如PbS的Eg随温度升高增加.
你好,温度升高,离子更活跃,本征激发机会增大, 少数载流子增加,p区的空闲与N区的电子靠近PN结,导致PN结宽度变小,即内部电场减小,所以我们的温度升高时死区电压是会下降的。
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关于PN结的问题《模拟电子技术基础》中说PN结中的内建电场是由于P区带有不能自由移动的负电荷,而N区带有不能自由移动的正电荷,所以PN结之间就会产生一个由N指向P的内建电场,但是我想问
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哪位大神知道什么是PN结的内电场?