半导体中的STI是什么意思

来源：学生作业帮助网编辑：六六作业网时间：2025/01/29 10:55:17

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半导体中的STI是什么意思
半导体中的STI是什么意思

半导体中的STI是什么意思
shallow trench isolation
浅沟道隔离
特点：
能实现高密度的隔离,适合于深亚微米器件和DRAM等高密度存储电路.
一般在器件制作之前进行,热预算小.
STI技术工艺步骤：首先,类似LOCOS,依次生长SiO2淀积Si3N4涂敷光刻胶,光刻去掉场区的SiO2和Si3N4.其次,利用离子刻蚀在场区形成浅的沟槽.然后,进行场区注入,再用CVD淀积SiO2填充沟槽.最后,用化学机械抛光技术去掉表面的氧化层,使硅片表面平整化.
工艺复杂,需要回刻或者CMP　

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