均匀带电球壳(面和密度δ)对于其表面一点处产生的场强内容如图 ,为何与Gauss定理不符
来源:学生作业帮助网 编辑:六六作业网 时间:2024/11/09 01:49:38
均匀带电球壳(面和密度δ)对于其表面一点处产生的场强内容如图,为何与Gauss定理不符均匀带电球壳(面和密度δ)对于其表面一点处产生的场强内容如图,为何与Gauss定理不符均匀带电球壳(面和密度δ)对
均匀带电球壳(面和密度δ)对于其表面一点处产生的场强内容如图 ,为何与Gauss定理不符
均匀带电球壳(面和密度δ)对于其表面一点处产生的场强
内容如图 ,为何与Gauss定理不符
均匀带电球壳(面和密度δ)对于其表面一点处产生的场强内容如图 ,为何与Gauss定理不符
推到都没错,高斯定理结果是:球壳表面(外)上的电场是4πkδ 这也是对的,你是问这两个东西为什么不同对吧,因为这两个根本就不在同一点上!
1)上面推导是球壳上一点,距球心为半径R;而高斯定理的点位于球壳外,距球心R+e(e>0);
2)如果要用高斯定理求上面推导的结果,则要考虑电场的跳变,其为:
E(R)=(E(R+e)+E(R-E))/2=(4πkδ+0)/2=2πkδ
和上述推导的结果一样;
3)如果用上述推导去算表面外的电场,则其积分是从0到π,再从π到0,要算两遍······所以会变成两倍········这就和高斯公式一样了···········ok`````````
你这个实际上是计算了除P点外所有球壳上电荷在P点的电场强度,因为圆环电场那个公式就是对环外一点的;而高斯定理是所有点。所以缺少了P点自身产生的场强;由对称性可知P点产生的场强正好和除P点外所有点产生的场强相等,所以最终结果应该是你积分结果的2倍,应该就和高斯定理算的一样了。...
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你这个实际上是计算了除P点外所有球壳上电荷在P点的电场强度,因为圆环电场那个公式就是对环外一点的;而高斯定理是所有点。所以缺少了P点自身产生的场强;由对称性可知P点产生的场强正好和除P点外所有点产生的场强相等,所以最终结果应该是你积分结果的2倍,应该就和高斯定理算的一样了。
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均匀带电球壳(面和密度δ)对于其表面一点处产生的场强内容如图 ,为何与Gauss定理不符
一半径为R的无限长直圆筒,表面均匀带电,电荷面密度为a,若圆筒绕其轴线匀速旋转,角速度为w,试求轴线上任一点磁感应强度
一个均匀带电球层,电荷密度为p,球层内表面半径R1,外表面半径R2,求空腔内外任一点的场强分布
急求有关大学物理的一道有关电势的题.一均匀的带电的球壳,体密度为P,球壳内表面半径为R,外表面半径为Q,无穷远处为电势的零点,求空腔内的任意一点的电势.
两个平行的“无限大”均匀带电平面,其电荷面密度分别为+σ和+2σ求各个区域的电场强度.
一均匀带电球壳,它的面电荷密度为σ,半径为R.求球壳内、外的电势分布
一均匀带电球壳,面电荷密度sigma,球面上任意小面元dS上所受静电力.
电场一无限大均匀带电平面A,其附近放一与它平行的有一定厚度的无限大平面导体板B,已知A上的电荷密度为+x;,则在导体板B的两个表面1和2上的感应电荷面密度为 -0.5x,+0.5x,为什么
无限大均匀带电平面两侧的场强为什么比导体表面附近场强为什么小一半?无限大均匀带电平面(面密度为σ)两侧的场强为E=σ/(2ε),而在静电平衡状态下, 导体表面(该处表面电荷密度为σ)
真空中两块互相平行放置的无限大均匀带电平板,其电荷面密度分别为+a和+2a,两板间距为d.求两版间电势差,答案是a*d/(2*ε0),可不知道为什么,.
两个平行的“无限大”均匀带电平面,其电荷面密度分别为+σ和-3σ求各个区域的电场强度.是不是不管电荷面是密度是多少,结果都一样?
关于一道大学物理题的提问一“无限大"均匀带电平面A,其附近放一与它平行的有一定厚度的"无限大"平面导体板B,如图所示.已知A上的电荷面密度为+σ ,则在导体板B的两个表面1和2
半径为R的均匀带电薄圆盘,电荷面密度为s,求该圆盘边缘一点的电势
半径为R的均匀带电薄圆盘,电荷面密度为s,求该圆盘边缘一点的电势
希望得到解题过程.无限大的均匀带电平板,求电荷面密度为σ其两侧的电场强度.
导体球外有一均匀介质的同心球壳,介质内表面极化电荷面密度为何是负数?
一点电荷 位于无限大均匀带电平面附近的 点,将其沿电场线方向移动距离一点电荷位于无限大均匀带电平面附近的点,将其沿电场线方向移动距离,若电场力做功为,求带电平面上的电荷面密度.
1均匀带电半球壳半径为R,电荷面密度为k,则将球壳分割为一系列圆环,其中半径为r圆环带电q=k*2πRr,2内外半径为r和R的均匀带电球壳,电量为Q,距球心为R1时,电场强度为Q(R1^2-r^2)/(R^2-r^2),为什么~