半导体材料中,离子注入与离子掺杂有什么区别?离子注入技术和离子掺杂工艺的优缺点及其用途?

来源：学生作业帮助网编辑：六六作业网时间：2024/11/17 05:23:46

半导体材料中,离子注入与离子掺杂有什么区别?离子注入技术和离子掺杂工艺的优缺点及其用途?半导体材料中,离子注入与离子掺杂有什么区别?离子注入技术和离子掺杂工艺的优缺点及其用途?半导体材料中,离子注入与

半导体材料中,离子注入与离子掺杂有什么区别?离子注入技术和离子掺杂工艺的优缺点及其用途?
半导体材料中,离子注入与离子掺杂有什么区别?
离子注入技术和离子掺杂工艺的优缺点及其用途?

半导体材料中,离子注入与离子掺杂有什么区别?离子注入技术和离子掺杂工艺的优缺点及其用途?
离子注入是离子参杂的一种.
随着VLSI器件的发展,到了70年代,器件尺寸不断减小,结深降到1um以下,扩散技术有些力不从心.在这种情况下,离子注入技术比较好的发挥其优势.目前,结深小于1um的平面工艺,基本都采用离子注入技术完成掺杂.离子注入技术已经成为VLSI生产中不可缺少的掺杂工艺.
离子注入具有如下的特点:
①可以在较低温度下（400℃）进行,避免高温处理；
②通过控制注入时的电学条件（电流、电压）可以精确控制浓度和结深,更好的实现对杂质分布形状的控制.而且杂质浓度不受材料固溶度的限制；
③可选出一种元素进行注入,避免混入其他杂质；
④可以在较大面积上形成薄而均匀的掺杂层.同一晶片上杂质不均匀性优于1％,且横向掺杂比扩散小的多；
⑤控制离子束的扫描区域,可实现选择注入并进而发展为一种无掩模掺杂技术.

半导体材料中,离子注入与离子掺杂有什么区别?离子注入技术和离子掺杂工艺的优缺点及其用途? 半导体材料中,离子注入与离子掺杂有什么区别?离子注入技术和离子掺杂工艺的优缺点及其用途? 轻掺杂中掺杂的半导体材料应用有哪些离子液体中微波辐射合成掺杂型TiO2光催化剂在铁离子溶液中注入KSCN溶液,再注入EDTA会发生什么现象溶液中有银离子,铜离子,铬离子,钙离子,镍离子,怎样检验与分离氯气在既有溴离子又有电离子的溶液中先与什么离子反应? 溶液中离子含量与电导率有什么关系哪些稀土离子可以双掺杂 H离子不能与什么离子在溶液中共存氢氧根离子与氢氧离子有什么区别掺杂半导体材料中的费米能级与掺杂后在能隙中多出的能级是同一个吗?（只考虑n掺杂或p掺杂）离子大量共存问题1.与氢离子不能大量共存的离子2.与氢氧根离子不能大量共存的离子3.与氢离子和氢氧根离子均不能大量共存的离子4.有色溶液中不能大量共存的离子有5.铝离子与什么离子生为什么稀土离子掺杂于氟化物中会发射蓝色光掺杂半导体中少数载流子的浓度与什么有很大关系掺杂半导体中少数载流子的浓度与什么有很大关系 1 氧化铁与什么反应离子方程式中只有一个铁离子2 碳酸钙和什么反应离子方程式中有二氧化碳和另外两种物质铝离子和锌离子与2价硫离子反应结果有什么不同啊