晶体管的饱和管压降与PN借的导通压降有什么关系
来源:学生作业帮助网 编辑:六六作业网 时间:2024/12/25 09:48:32
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晶体管的饱和压降也就是两个PN结正偏时、C-E之间的电压,即等于两个PN结正向电压的差,因此,对于理想晶体管,饱和压降与PN结的导通压降,严格来说,是有一定的关系.
但是,实际上晶体管饱和压降与PN结的导通压降关系不大,因为晶体管饱和压降主要决定于晶体管的集电极串联电阻;而这与衬底外延层的电阻率和厚度有很大的关系,另外也与电极接触电阻有关.
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β与晶体管饱和电路如图所示,问β大于多少时晶体管饱和?这题我会求,Ib=Vcc/Rb=0.05mAIc=Vcc/Rc=5mAβ=Ic/Ib=100我的问题是,为什么说β>100时,晶体管就饱和了?题目所谓的晶体管饱和应该指的就是输出特
反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能怎么样?
有关晶体管饱和管压降的问题比如是NPN型的硅管,当处于饱和区时,发射结和集电结都是正偏,也即是Uce
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5、晶体管的发射结、集电结均正偏则晶体管所处的状态是( ).A.放大 B.截止 C.饱和 D.不定
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