请问,N-MOS、P-MOS分别指N沟道MOS管和P沟道MOS管吗?它们的剖面图和工艺版图是怎样的.
来源：学生作业帮助网 编辑：六六作业网 时间：2024/11/22 07:55:24
请问,N-MOS、P-MOS分别指N沟道MOS管和P沟道MOS管吗?它们的剖面图和工艺版图是怎样的.
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类似这样的问题我好像回答好多次了
MOS依照其“通道”的极性不同,可分为'N"沟与‘p“沟的MOSFET,
结构
如图是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图.它用一块P型硅半导体材料作衬底（图la）,在其面上扩散了两个N型区（图lb）,再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2）绝缘层（图1c）,最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔,用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极：G(栅极）、S（源极）及D（漏极）,如图1d所示.平面N沟道增强型MOSFET从图1中可以看出栅极G与漏极D及源极S是绝缘的,D与S之间有两个PN结.一般情况下,衬底与源极在内部连接在一起.
功能
要使增强型N沟道MOSFET工作,要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS,则产生正向工作电流ID.改变VGS的电压可控制工作电流ID
若先不接VGS（即VGS=0）,在D与S极之间加一正电压VDS,漏极D与衬底之间的PN结处于反向,因此漏源之间不能导电.如果在栅极G与源极S之间加一电压VGS.此时可以将栅极与衬底看作电容器的两个极板,而氧化物绝缘层作为电容器的介质.当加上VGS时,在绝缘层和栅极界面上感应出正电荷,而在绝缘层和P型衬底界面上感应出负电荷.这层感应的负电荷和P型衬底中的多数载流子（空穴）的极性相反,所以称为“反型层”,这反型层有可能将漏与源的两N型区连接起来形成导电沟道.当VGS电压太低时,感应出来的负电荷较少,它将被P型衬底中的空穴中和,因此在这种情况时,漏源之间仍然无电流ID.当VGS增加到一定值时,其感应的负电荷把两个分离的N区沟通形成N沟道,这个临界电压称为开启电压（或称阈值电压、门限电压）,用符号VT表示（一般规定在ID=10uA时的VGS作为VT）.当VGS继续增大,负电荷增加,导电沟道扩大,电阻降低,ID也随之增加,并且呈较好线性关系.因此在一定范围内可以认为,改变VGS来控制漏源之间的电阻,达到控制ID的作用.由于这种结构在VGS=0时,ID=0,称这种MOSFET为增强型.另一类MOSFET,在VGS=0时也有一定的ID（称为IDSS）,这种MOSFET称为耗尽型.VP为夹断电压（ID=0）.
耗尽型与增强型主要区别是在制造SiO2绝缘层中有大量的正离子,使在P型衬底的界面上感应出较多的负电荷,即在两个N型区中间的P型硅内形成一N型硅薄层而形成一导电沟道,所以在VGS=0时,有VDS作用时也有一定的ID(IDSS）；当VGS有电压时（可以是正电压或负电压）,改变感应的负电荷数量,从而改变ID的大小.VP为ID=0时的-VGS,称为夹断电压.