IGBT通态压降为多少
来源：学生作业帮助网 编辑：六六作业网 时间：2024/11/25 14:37:47
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不同规格的、不同晶圆的IGBT通态压降VCEsat都不一样而且它还与温度、IC电流、门极电压有关系,你用IGBT的型号去产家官网下个数据手册,里面会给出这个参数而且还有VCEsat与温度、IC电流、门极电压的关系图.
VCEsat 一般2-4V。（同样的管子集电极电流越大VCEsat越大，同样的管子驱动电压越高VCEsat越小）。
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IGBT高阻多少?一般情况下1000V的IGBT在未导通时CE两端电阻为多少?IGBT导通之后电阻又是多少?我用一个10M电阻串联IGBT接在1000V的高压源上,发现导通后IGBT上居然又400多V的电压,此电压是用万用表
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大学电力电子选择题1,通态压降最大的器件是：A,IGBT B,MOSFET C,GTR D,SCR2,为使可靠关断,门极驱动常常需要加反压的器件是：A,IGBT B,MOSFET C,GTR D,SCR3,输出电压低于输入电压的斩波电路是：A,
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耐压2500V的IGBT有哪些应用?目前做一项IGBT应用调研,发现1700V、3300V的IGBT有很广阔的市场,可2500V并为见有成熟产品.不知各位有知道2500V-IGBT应用案例的没?
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