1．正常工作状态下的稳压二极管,处于伏安特性曲线中的（ ）.A.正向特性工作区 B.反向击穿区 C.正向特性非工作区 D.特性曲线所有区域2.本征半导体的载流子浓度随温度上升而变,其中（ ）.A
来源：学生作业帮助网 编辑：六六作业网 时间：2024/12/04 02:49:28
1．正常工作状态下的稳压二极管,处于伏安特性曲线中的（ ）.A.正向特性工作区 B.反向击穿区 C.正向特性非工作区 D.特性曲线所有区域2.本征半导体的载流子浓度随温度上升而变,其中（ ）.A
1．正常工作状态下的稳压二极管,处于伏安特性曲线中的（ ）.
A.正向特性工作区 B.反向击穿区 C.正向特性非工作区 D.特性曲线所有区域
2.本征半导体的载流子浓度随温度上升而变,其中（ ）.
A 自由电子浓度增加,而空穴浓度不变
B 空穴浓度增加,而自由电子浓度不变
C 空穴和自由电子浓度以同样的规律和倍数增加
D 空穴和自由电子浓度不变
3.杂质半导体中的少数载流子浓度（ ）.
A 与掺杂浓度和温度无关 B 只与掺杂浓度有关
C只与温度有关 D 与掺杂浓度和温度都有关
4 硅二极管的死区电压约为 V,锗二极管的死区电压约为 V.
A 0.5 B 1 C 1.5 D 0.1
5.测得晶体三极管Ib=30uA 时Ic=2.4mA,Ib=40uA 时,Ic=3mA 则该晶体三极管的交流电流放大系数为（ ）.
A 80 B 60 C 75 D 1 00
6.三极管工作在放大区时,发射结为 ,集电结为 ；工作在截止区时,发射结为 ,集电结为 ；工作在饱和区时,发射结为 ,集电结为 ；
A 正偏 B 反偏 C 零偏
7.三极管的三管脚的对地电压分别为UA=12V、UB=4.7V、UC=4V,则此三极管是 材料 型管,A为 极,B为 极,C为 极,该三极管处于 工作状态.
A 硅 B 锗 C NPN D PNP
E 集电 F 基 G 发射 H 放大
I 截止 J 饱和
8.PN结加正向电压时,空间电荷区 ,此时电流由 形成；PN结加反电压时,空间电荷区 ,此时电流由 形成.
A 扩散运动 B 漂移运动 C 变宽 D 变窄
9.稳压二极管正常工作时应在特性曲线的 区.
A 正向导通 B 反向截止 C 反向击穿
10.温度升高时,二极管的反向电流将 .
A 增大 B 不变 C 减少
11.以下电路中,可用作电压跟随器的是（ ）.
A、差分放大电路 B、共基电路 C、共射电路 D、共集电路
12.差动放大电路的设置是为了（ ）.
A、稳定放大倍数 B.提高输入电阻 C、克服温漂 D、扩展频带
13.放大电路引入直流负反馈后将（ ）.
A、改变输入、输出电阻 B、展宽频带 C、减小放大倍数 D、稳定静态工作点
14.有用信号频率为7Hz,应采用的滤波电路是（ ）.
A、低通滤波电路 B、高通滤波电路 C、带通滤波电路 D、带阻滤波电路
1．正常工作状态下的稳压二极管,处于伏安特性曲线中的（ ）.A.正向特性工作区 B.反向击穿区 C.正向特性非工作区 D.特性曲线所有区域2.本征半导体的载流子浓度随温度上升而变,其中（ ）.A
1.B 2.C 3.C 4.A、D 5.A 6.A、B；B、B；A、A 7.A、C.E、F、G、H 8.D、A；C、B 9.C 10,A 11.D 12,C 13,D 14.A
1,b 2,c 3.D, 4,AD 5B 6AB CB AA 7,ACEFGH 8DACB 9C 10A 11D 12,C 13D 14A