MOSFET 击穿的原因以及 击穿后的管子所表现的一些常见现象（或特点）

来源：学生作业帮助网 编辑：六六作业网 时间：2024/12/20 05:49:39
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MOSFET 击穿的原因以及 击穿后的管子所表现的一些常见现象（或特点）
MOSFET 击穿的原因以及 击穿后的管子所表现的一些常见现象（或特点）

MOSFET 击穿的原因以及 击穿后的管子所表现的一些常见现象（或特点）
PN结的击穿机理大致分为隧道击穿、雪崩击穿、热击穿三大类,MOSFET的击穿原因也包括在这三大类之间.
隧道击穿是一种量子效应,是电子隧穿势垒引起的,要触发隧道击穿一般要求三个条件：1、费米能级进入能带；2、半导体空间电荷区很窄；3、在相同能量水平上,半导体的一侧能带中有电子而另一侧能带中有空的状态.一般来说,重掺杂的简并半导体易满足这些要求.隧道击穿一般可恢复.
雪崩击穿是在电压过高情况下形成的.雪崩击穿只要击穿在可控范围内也可恢复.
热击穿是晶体管过热导致的,当雪崩击穿不可控引发大电流通过晶体管可使晶体管迅速升温,使得半导体晶格结构被破坏,导致不可恢复的热击穿,也就是一般说的晶体管烧了.
MOSFET的击穿具体比较复杂,简单地说,主要是MOSFET漏端电压过大,导致源、漏雪崩击穿,晶体管中产生大的电流,最后引起热击穿,MOSFET烧坏；同时,由于隧道击穿引起的隧道电流的存在,MOSFET漏极击穿电压将比理论值有所下降

晶体管击穿后的现象用万用表的电阻挡测量，就是三通了，最起码是两通。CB或者EB导通。 击穿的原因，一般是电压过高所导致。

MOSFET击穿有很多原因，常见的有静电作用击穿，过温度击穿，过电压击穿，过电流击穿，还有就是生产过程的操作使MOSFET破裂致在上电后击穿。在开关电源中MOSFET击穿常见的现象就是炸机。

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