室温下,本征半导体硅中自由电子和空穴的浓密度关系是

室温下,本征半导体硅中自由电子和空穴的浓密度关系是 本征半导体中掺入[ ]族元素 例如[]得到N型半导体N型半导体的空穴浓度[ ]自由电子浓度 [ ]本征空穴浓度? P型半导体和N型半导体为什么是呈电中性?在本征半导体中每产生一个电了必然会有一个空穴出现,自由电子和空穴是成对出现的,但在本征半导体硅或锗的晶体管中掺入微量三价元素硼（或镓 当温度升高时,本征半导体中载流子的浓度：A.自由电子浓度增大,空穴浓度减小 在半导体中,电了导电和空穴导电有什么区别?空穴电流是不是由自由电子递补空穴所形成的 怎样闭着眼想象半导体中载流子（自由电子和空穴）在通电时的运动?在脑袋里建立一个半导体在通电或不通电情况下的图象. 空穴导电的实质模电书上说,在外加电场时,本征半导体的电流是自由电子的电流与空穴电流之和.是否可以这么理解：有7种动作：1、自由电子----在自由空间中沿电场定向运动；2、自由电子--- 对p型半导体的工作原理不清楚p型半导体就是在本征半导体中加入三价元素产生比较多的空穴,从而增加导电性.但我不明白的是;虽然空穴数量增加了,但是要增强导电性终归要增加自由电子的 在半导体中,有自由电子和空穴两种载流子导电对还是错 n型半导体中的空穴是怎么形成的还有为什么自由电子比空穴多 半导体PN结中参与导电的载流子是空穴和自由电子,那是否意味着流过PN结的电流为自由电子的两倍?为什么在计算时仍然是电流=电压/电阻.而不是电流的二倍? 为什么p型半导体空穴多于自由电子 导体与半导体 载流子为什么不同,导体中不也是束缚电子转化为自由电子的吗,为什么导体中没有空穴啊 在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,N型半导体的多子是________.（A.）在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,N型半导体的多子是________.（A.） 五价 （ B）.四价 （C.） 三价 (D)空穴 (E 半导体稳定扩散和平衡态有什么区别稳定不变的光照下,半导体中电子和空穴浓度保持不变,为什么还说半导体处于非平衡状态呢?此时产生率与复合率相等吗? 自由电子.空穴.载流子.和正负离子的特点和区别? 如何推导本征半导体中价带中空穴浓度的公式：p = Nv*exp[-(E（F） – Ev)/kT] 本征半导体怎么回事?如题,本征半导体中电子电流和空穴电流大小相等,方向相反,总电流为二者绝对值之和.这种说法对吗?为什么?